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京基百纳下沙商业项目简介福田区下沙旧改项目地块位于深圳市福田区西南端滨海的下沙片区，北临滨河路，与车公庙工业区隔路相望，西侧为东涌路，隔东涌路为花好园及下沙村，东侧为上沙创新科技
http://blog.alighting.cn/winfox/archive/2013/6/18/319372.html2013/6/18 18:57:27
正申请iso14001安全与环境协议认证，将针对高亮度led（hbled）的需求上升，大幅增加其制程所使用的三甲基镓（tmg）、三乙基镓（teg）和叁甲基铟（tmi）的产
https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15
2月15日，中国科学院半导体所创新项目“氮化镓基倒装结构功率型半导体发光二极管(led)及关键技术”通过成果鉴定。
https://www.alighting.cn/news/200725/V136.htm2007/2/5 11:37:38
日本碍子称，开发出了可将led光源的发光效率提高1倍的GaN(氮化镓)晶圆。该晶圆在生长GaN单结晶体时采用自主开发的液相生长法，在整个晶圆表面实现低缺陷密度的同时获得了无色透
https://www.alighting.cn/news/201259/n962139582.htm2012/5/9 9:04:39
日本大阪大学研究生院工学研究系材料生产科学专业教授藤原康文，试制出利用GaN系半导体的红光led组件。藤原康文教授介绍，利用GaN系半导体的蓝光led组件及绿色led组件现已达
https://www.alighting.cn/news/20090708/93786.htm2009/7/8 0:00:00
将硅衬底上外延生长的氮化镓基led 薄膜，通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板，获得了垂直结构蓝光led 器件，并对其老化特性进
https://www.alighting.cn/2014/11/6 10:24:34
赤崎和天野的研究小组，就在GaN类蓝色led的开发中做出了重要贡献。赤崎在2001年获得了“应用物理学会成就奖”，获奖理由中有这样一段话：“在GaN类氮化物半导体材料和元器件的研
https://www.alighting.cn/resource/20141029/124150.htm2014/10/29 14:39:18
巴(mbar)以上的高压下能以极高的速率完成高质量的氮化镓(GaN)沉淀，产量超过前一代系统的1倍，氮化镓/氮化铟镓(inGaN)也有优异的均一性。在无反应炉烘培或替换任何零件的情况
https://www.alighting.cn/news/20100301/119941.htm2010/3/1 0:00:00
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
配置背光的一种标准方法是使用两个分立式器件：一个采用dpak封装的100vmosfet，以及一个同样采用dpak封装的100v肖特基二极管。led背光单元中，肖特基二极管的高漏电
https://www.alighting.cn/resource/2014/3/7/155345_18.htm2014/3/7 15:53:45
