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采用mocvd方法在gaas上生长zno(002)和zno(100)薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的表面处理条件和生长温度下,在gaas上生长出了zno薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的zno(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130123/126124.htm2013/1/23 14:41:54

砷化镓外延市场规模将超过4亿美元

strategy analytics 发布最新年度预测报告“半绝缘砷化镓(si gaas) 外延市场预测2008-2013”。报告总结,2008年半绝缘砷化镓(si gaa

  https://www.alighting.cn/news/20090806/92793.htm2009/8/6 0:00:00

sic缓冲层对si表面生长的zno薄膜结构和光电性能的改善

电性能进行了研究。实验结果表明:sic缓冲层改善了zno薄膜的结晶质量和光电性能,其原因可能是sic作为柔性能够减少zno与si之间大的晶格失配和热失配导致的界面缺陷和界面

  https://www.alighting.cn/2011/10/17 14:14:12

LED晶片认识

一份由潘述栋整理的《LED晶片认识》,现在分享给大家,欢迎下载附件查看详细内容。

  https://www.alighting.cn/2013/3/18 10:16:45

中国LED照明灯具推广五大桎梏

上海世博会、广州亚运会的建设、灯光效果都用上了LED灯。十城万盏计划里换下的LED灯很多都已经撤下来了,光衰严重,用不了多久灯光变得昏暗。那么,当前LED照明灯具普遍存在的问

  https://www.alighting.cn/news/20120529/89443.htm2012/5/29 11:19:43

大功率LED散热技术和热界面材料研究进展

介绍了目前LED 常用的几种热界面材料,指出碳纳米管是一种非常有潜力的热界面材料。

  https://www.alighting.cn/resource/20150128/123675.htm2015/1/28 9:48:27

2011年LED芯片消费市场大调查

产品才是王道。LED芯片作为LED产业链中最关键的一环,其成本占到LED灯成本的50%以上,其作用不言而喻。比拼LED芯片产品,大陆LED芯片胜算几何?在国内,LED封装厂或应用

  https://www.alighting.cn/news/20111221/89992.htm2011/12/21 16:15:37

大功率LED芯片的几种制造方法

大功率LED器件的生产,需要制备合适的大功率LED芯片,本文主要介绍国际上制造大功率LED芯片的几种主流方法。

  https://www.alighting.cn/2012/5/17 10:06:37

确保LED应用的蓝宝石晶体质量

本篇论文讨论了gt公司的oht蓝宝石材料等级检测技术,并重点介绍了gt公司如何运用oht技术,确保了其asft?长晶炉生产的蓝宝石材料满足或超越LED级别的材料质量要求。

  https://www.alighting.cn/2013/9/6 15:34:38

氢化物气相外延自支撑gan制备技术研究进展

氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技

  https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57

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