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点要求：一是封装结构要有高的取光效率,其二是热阻要尽可能低,这样才能保证功率led 的光电性能和可靠性。所以本文将重点对功率型led的封装技术作介绍和论述。二 功率型led 封装技
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229961.html2011/7/17 23:36:00
术日益重要的应用领域。除了要求更高效率、更低静态电流之外,led驱动还有不少更精细的要求,如led匹配、调光、白光平衡等等。另外还有一些基本架构问题,如led是串联还是并联连接
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229957.html2011/7/17 23:35:00
高的灯具效率、维护系数、显色指数、有效照度以及可任意设置的功率规格等特点,使得其在满足规范要求的条件下能耗大幅下降。因此,用led隧道灯简单替代高压钠灯,可实现50%的节能目标。图
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229953.html2011/7/17 23:33:00
法,因此合成具有良好发光特性的特殊荧光粉相当关键。目前,采用蓝光、紫光或紫外光led配合荧光粉产生白光的技术己经相对成熟,但可应用于led的红色荧光粉,不是有效转换效率低,就是性质不
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229950.html2011/7/17 23:30:00
度led外延材料的重要前提。algainp超高亮度led采用了mocvd的外延生长技术和多量子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocv
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229947.html2011/7/17 23:29:00
展uv三基色萤光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效萤光粉很多,其发光效率比目前使用的yag：ce体系高许多,这样容易使白光led上到新胚阶。6.开发多量子阱型芯片技术多量子
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率和多个led应用的场合,热量积少成多而不能小觑,led不同于白炽灯、荧光灯等传统照明光源,过高的温度会缩短,甚至终止其使用寿命。而且led是温度敏感器件,当温度上升时,其效率急
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l灯片的发光效率会降低；当然,el灯片的材料、品质和构造对发光亮度和效率也有很大的影响,例 如,不同颜色的el灯片效率不同,绿色的效率最高。此外,el灯片的亮度标测单位是反映主动光
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同程度的威胁。为保持lcd显示技术现有的竞争优势,各厂商已投入大量研发力量,力求提升传统lcd的显示效率和质量。在lcd技术发展中,新型背光技术的作用日益显著,对于lcd整体结构以
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构 牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积
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