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阐述功率型led封装发光效率

结组成的发光二极,当正向电流从pn结流过时,pn结有发热损耗,这些热量经由粘结胶、灌封材料、热沉等,辐射到空气中,在这个过程中每一部分材料都有阻止热流的热阻抗,也就是热阻,热阻是

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134134.html2011/2/20 23:01:00

超高亮led的驱动

发光二极(light emitting diode,led)发明于20世纪60年代,它是利用半导体材料中的电子和空穴相互结合并释放出能量,使得能量带(energy gat,)位

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134131.html2011/2/20 23:00:00

低端8位mcu使高亮度汽车led控制成为可能

能。 mc9rs08ka2控制pwm功率开关器件,对hbled电流进行调节。p沟道金属氧化物半导体(pmos)的开关是由mcu计时模组控制的,并且频率被设定为30kh

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00

高亮度led之「封装光通」原理技术探析

前言:毫无疑问的,这个世界需要高亮度发光二极(high brightness light-emitting diode;hb led),不仅是高亮度的白光led(hb wle

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00

led生产工艺及封装技术(生产步骤)

1.工艺:  a) 清洗:采用超声波清洗pcb或led支架,并烘干。  b) 装架:在led芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的芯(大圆片)安置在刺晶台

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00

gan基发光二极的可靠性研究进展

们的兴趣。f.manyakhin等人通过分析ingan/algan/gan发光二极在大电流老化试验中光电学参数的变化和空间电荷区的离化受主分布[15],认为在老化试验第一阶段,有

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00

背光驱动电路的选择策略和应用介绍

部的开关被击穿而损坏。所以,没有内置开路保护电路的芯片会要求外部增加一个齐纳二极,利用它的击穿来保护内部的开关。保护电路如图2所示。 图4:混合模式控制原理图。

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00

si衬底gan基材料及器件的研究

[1]报道的第一个gan发光二极到nakamura[2]研制出的gan基蓝光激光器仅仅只有二十几年的时间。近年来,有关gan基材料和器件的研究及发展更是大大加速了。由于gan大尺

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134118.html2011/2/20 22:54:00

如何应对新型大功率led的设计挑战

简介 数十年来,不起眼的发光二极(led)已经在众多应用中得以广泛采纳,设计人员对其设计要求非常熟悉,以至于大多数人都不太会对它们进行深入的思考。不过,一种新型的大功率le

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134116.html2011/2/20 22:53:00

玩转升压调节器——预测led驱动器反馈环路

器) rhp零点 (上面为电压调节器;下面为电流调节器) 对升压和升流调节器来说,下面的数值是一样的: 占空比 (vd是输出二极压降,典型值为0.

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