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题；(2)发光完全可控,不存在液晶显示的背光泄漏或等离子显示的预放电问题,黑色表现力大大提高；(3)发光效率可达5lm/w,使其耗电量只有同规格的等离子和液晶显示器的一半；(4)由
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同程度的威胁。为保持lcd显示技术现有的竞争优势,各厂商已投入大量研发力量,力求提升传统lcd的显示效率和质量。在lcd技术发展中,新型背光技术的作用日益显著,对于lcd整体结构以
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即晶粒,一般情况下,为便于测试,提高效率,同一片晶圆上制作同一品种、规格的产品；但也可根据需要制作几种不同品种、规格的产品。在用针测(probe)仪对每个晶粒检测其电气特性,并将不
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氮化镓衬底用于氮化镓生长的最理想的衬底自然是氮化镓单晶材料,这样可以大大提高外延膜的晶体质量,降低位错密度,提高器件工作寿命,提高发光效率,提高器件工作电流密度。可是,制备氮化镓
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子阱结构,波长625nm 附近其外延片的内量子效率可达到100%,已接近极限。目前mocvd生长ingaalp外延片技术已相当成熟。ingaalp外延生长的基本原理是,在一块加热
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源,高强度气体放电灯是第三代光源(hid)。如今在照明界具有广阔的发展前景的led光源被称为第四代光源。led作为新颖的半导体光源,具有寿命长、发光效率高、功耗低、启动时间短、结构牢固
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led是一类可直接将电能转化为可见光和辐射能的发光器件,具有工作电压低,耗电量小,发光效率高,发光响应时间极短,光色纯,结构牢固,抗冲击,耐振动,性能稳定可靠,重量轻,体积小,成
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合格的应用产品。本文就led应用于道路灯具中目前存在的问题进行了分析,也给出了解决问题的思路和实例,供广大同行参考。关键词：多光源、定向发光、三次配光、过度照明、系统效率、lpd引
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此 避免了gan和腌膜材料之间的接触。5.研发波长短的uv led晶圆材料它为发展uv三基色荧光粉白光led奠定扎实基矗可供uv光激发的高效荧光粉很多,其发光效率比目前使
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展,利用氮掺杂工艺使gaasp器件的效率达到了1流明/瓦,并且能够发出红光、橙光和黄色光。到1971,业界又推出了具有相同效率的gap绿色裸片led。1972年开始有少量led显示
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