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大低于内部加热的衬底温度，使热管壁反应消耗降低。mocvd方法的生长速率适中，可以比较精确地控制膜厚，特别适合于leds和LDS的大规模工业化生产，目前已经成为使用最多、生长材料和器
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降。失效后器件的电学特性主要表现为结漏电流增加，如图1所示[11]，这一失效机理的发现，是对nichia公司的gan基led施加100ma电流脉冲[7]或70ma恒定电流[11
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接访问接口设计。c8051f020是美国cygnal公司推出的一种混合信号soc型8位单片机，是集成度很高的混合信号系统级的芯片。它具有100脚的tqfp封装，功耗低，供电电压为2
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到70ma、100ma甚至1a级，需要改进封装结构，全新的led封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/20/230339.html2011/7/20 0:16:00
于荧光灯(601m／w～100lm／w)，2004年，发光效率可提高到60lm／w，接近荧光灯水平，从而可大量用于照明市场；光通量为231m；封装尺寸小。nichia公司于2003
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用led。采用led的好处具有诸多积极的含意。首先（也许是最重要的一点），它永远不需要更换，因为其长达100,000小时的固态寿命（服役年限：11年半）比汽车的使用寿命还要长。这使得汽
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厦的停车场领票处、入口道路、行人门廊，以及会议室现在都已经100%实现了led照明。节能的总和，加上降低的维修费用和报废成本，以及环境的改善都有力地证明了传统照明改革的必要性。对照
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明的光度输出，效率大约在80 lm/w，并预估在2009年整体性能将可以提升一倍，到达每灯管200流明，发光效率则可望达到160 lm/w。作为参考比较，100 w金卤hid灯大约可
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有很长一段距离。因白光led发光效率和成本的考虑，约在2010年时，白光led的发光效率可达100lm/w，而在2020年时可达200lm/w。如果白光led的进程加快，则是可
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步改善，发光效率将高达 100 lm/w，从而超过荧光灯，并最终与 hid 灯一决高下。原文位置 应当指出， hbled可以非常容易地实现全范围内的调光，而荧光灯的调光不仅困难，成
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