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路,支持低功率;支持通用的交流输入电压(ac 85-265v);过压保护/热截断电路;可调整的过流保护。 pwm控制功率mos管工作在平均67khz的振荡频率,为保证输出恒定的le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229887.html2011/7/17 22:56:00
外还包括改变驱动电路技术、强化导光效率、降低热 效应现象等等,也都是辅助降低总耗电量的技术。目前根据应用的不同,led的点灯方式也有所不同,大多的液晶电视多采用直下式的背光,而包
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229891.html2011/7/17 23:01:00
w的发光效率。例如在白光led覆晶封装的部分,由於发光层很接近封装的附近,发光层的光向外部散出时,因此电极不会被遮蔽的优点,但缺点就是所产生的热不容易消散。而并非进行晶片表面改善
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229909.html2011/7/17 23:09:00
先在gan窗口上生长,然后再横向生长于sio条 上。4.悬空晶圆技术(pendeo-epitaxy)采用这种方法可以大大减少由于衬底和晶圆层之间晶格失配和热失配引发的晶圆层中大
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229928.html2011/7/17 23:20:00
内的热场分布,将有利于获得均匀分布的组分与厚度,进而提高了外延材料光电性能的一致性。2)lgainn氮化物半导体是制备白光led的基石,gan基led外延片和芯片技术,是白光le
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229933.html2011/7/17 23:23:00
]化学稳定性好,在外延生长的温度和气氛中不容易分解和腐蚀；• [4]热学性能好,包括导热性好和热失配度小；• [5]导电性好,能制成上下结构；• [6]光学性能好,制作的器件所发
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素的有机化合物和ⅴ族元素的氢化物等作为晶体生长原料,以热分解反应方式在衬底上进行汽相外延,生长各种ⅲ-ⅴ族、ⅱ-ⅵ族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄膜层单晶材料。mocvd是在
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生的原因：从微观上说,根据原子物理理论,电中性时物质处于电平衡状态,由于不同的物质电子的接触产生的电子的得失,使物质失去电平衡,产生静电现象。从宏观上讲,原因有：物体间摩擦生热,激发电
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长(body growth)利用拉速与温度变化的调整来迟维持固定的晶棒直径,所以坩锅必须不断的上升来维持固定的液面高度,于是由坩锅传到晶棒及液面的辐射热会逐渐增加,此辐射热源将致使固
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那它就可以完全取代卤素光源。虽然如今的led在大多数应用中已具备了足够亮度,但光束和更大场合应用还需要更高亮度的led产品。更具能效的led也会带来更大的收益,比如说减少热消散问题
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