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未来led灯具研发技术的三大方面

源,以此保证led补光灯具输出功率的恒定,特别是我国电源电压供应不稳固的现状,这点显得更为重

  http://blog.alighting.cn/110231/archive/2011/11/28/255777.html2011/11/28 9:51:14

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

从散热技术探讨led路灯光衰问题

重光衰”就需要从led散热技术的根本来解决。   led路灯光衰竭的成因探讨   温度其实就是led路灯光衰的关键问题,偏偏led路灯就卡在这个环节。led路灯由于发光功率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258636.html2011/12/19 11:10:10

从散热技术探讨led路灯光衰问题

重光衰”就需要从led散热技术的根本来解决。   led路灯光衰竭的成因探讨   温度其实就是led路灯光衰的关键问题,偏偏led路灯就卡在这个环节。led路灯由于发光功率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261437.html2012/1/8 21:29:01

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

led芯片的技术发展状况

为34.9%。美国cree公司可以提供功率大于15 mw 的蓝色发光芯片(455~475 nm)和最大功率为21 mw的紫光发光芯片(395~410 nm),8 mw 绿光(50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

调查告诉你:哪些节能灯既省电又省钱

东三地消费者协会(委员会)对市场上销售的23个品牌的节能灯样本,委托国家电光源质量监督检验中心(北京),对其功率、色容差、初始光效、光通维持率等四项技术性能指标进行测试和比

  https://www.alighting.cn/news/2007810/V3665.htm2007/8/10 10:31:51

从散热技术探讨led路灯光衰问题

重光衰”就需要从led散热技术的根本来解决。   led路灯光衰竭的成因探讨   温度其实就是led路灯光衰的关键问题,偏偏led路灯就卡在这个环节。led路灯由于发光功率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262608.html2012/1/29 0:33:19

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率高,正向压降也高。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

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