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采用自制低压金属有机源化学气相沉积设备,在(100)面gasb单晶衬底上生长了ⅱ型inas/gasb超晶格材料.利用双晶x射线衍射、光学显微镜、原子力显微镜和光致发光谱等分析手段
https://www.alighting.cn/resource/20130418/125702.htm2013/4/18 14:00:59
设计了一种新型的带有百叶窗的平板式大功率发光二极管(led)照明装置。该装置采用高导热系数的铝基板作为多颗大功率led的散热电路板,用0.4mm的铝片作为散热翅片,结合沟槽式微热
https://www.alighting.cn/resource/20130410/125748.htm2013/4/10 13:14:29
较于白炽灯、紧凑型荧光灯等传统光源，发光二极管(led)具有发光效率高、寿命长、指向性高等诸多优势，日益受到业界青睐而被用于通用照明(general lighting)市场。le
https://www.alighting.cn/resource/20130222/126022.htm2013/2/22 11:47:20
0sccm时制备的zno薄膜具有较好的结晶质量、较高的光学透过率(≥80%)、较高的氧含量(～40.71%)、较快的生长速率(～252nm/h)和较好的发光特性:450～580nm附近发
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126105.htm2013/1/28 13:14:42
近年来半导体照明光源-发光二极管(led)产业和技术发展迅速,取代传统白炽灯的步伐越来越快,相关核心技术的研究也成为各国研究的热点,但led的发光效率和制造成本依然是阻碍led绿
https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22
报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan基蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向
https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25
要的两个部分，是led发光的工作本质所在。led衬底材料的选择，必须要考虑到与外延层半导体发光材料在晶格结构、热膨胀系数和化学稳定性方面的匹配程度，以及其自身的可加工性、散热性能和成
https://www.alighting.cn/resource/20111012/127026.htm2011/10/12 11:20:41
加,光致发光谱(pl)发光强度逐渐增
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127192.htm2011/9/6 13:52:00
、发光效率与芯片工作数量的关系。结果表明集成封装的多芯片白光led结温随着集成芯片数量的增加成线性增长,芯片到基板底面的热阻随着芯片工作数量的增加而增大,而其发光效率随着集成芯片数
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127237.htm2011/8/29 17:02:03
利用真空烧结技术制备了一种可用于白光led封装的ce:yag陶瓷荧光体。用x射线衍射仪、光致发光激发谱、光致发光谱等测试手段对这种陶瓷荧光体进行表征。结果表明:陶瓷荧光体的主相为
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127240.htm2011/8/29 16:12:31
