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2011年led照明市场规模可望达五成以上

光在第4季需求转淡,也促使led照明比重成长,据估计,电2010年照明比重将达到2成以上,2011年可望成长至3成,而泰谷第4季在高功率照明的比重则可望提高至近3成,璨圆也预计在

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2010/12/14/120777.html2010/12/14 15:53:00

led磊11月营收不同调 新世纪续创新高

台湾led磊大厂今年11月份营收表现,消长互异,电、泰谷持续较上月微幅减少2%-3%,璨圆大致持平,鼎元回升6%,隆达增幅达11%。

  https://www.alighting.cn/news/20101214/115654.htm2010/12/14 10:30:26

电负责人:2011年扩产幅度将达3成

电相关负责人指出,电2011年扩产幅度将达3成,其中南亚光电、电与光宝合作的常州厂及电台湾厂均为扩产范围。电集团当中包含的广镓、泰谷也都有一定程度的扩产计划,高亮度蓝

  https://www.alighting.cn/news/20101214/115686.htm2010/12/14 9:33:53

金线试作评估实验

球温度比对。 b.焊线最佳参数比对。c.焊线弧高及弧度之范围,做弧高量测。 d.金线拉力试验。 e.球推力试验。 f.焊线能力评估。 注:以上项目评估时,需与现用品(同级品)同

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120559.html2010/12/13 23:07:00

荧光粉提升pdp和led技术

粉来改善。    第二种实现方法是蓝色led芯片上涂绿色和红色荧光粉,通过芯片发出的蓝光与荧光粉发出的绿光和红光复合得到白光,显色性较好。但是,这种方法所用荧光粉有效转换效率较

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120554.html2010/12/13 23:05:00

led芯片制造流程

机金属和ⅴ族的nh3在衬底表面进行反应,将所需的产物沉积在衬底表面。通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例,从而控制镀膜成分、相等品质。mocvd外延炉是制作led外延片最常

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120531.html2010/12/13 22:58:00

从散热技术探讨led路灯光衰问题

商在散热基板鳍片、散热模块的设计上费尽苦心,组装完毕需在灯具散热模块外面,加烤漆保护以防气候侵蚀。不料这个外部保护的喷漆却把散热模块的热度又封了回去,造成散热不良导致led磊

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120525.html2010/12/13 22:55:00

能光电:硅衬底led芯片产业化初见成效

能光电(江西)有限公司董事长江风益: 能光电先后推出了2类4种规格的硅衬底led芯片,年产能达到30亿粒(小芯片)。 “在氮化镓基半导体发光材料领域,能光电创造性发

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120522.html2010/12/13 22:53:00

oled的关键零组件及材料

作开发;金属材料也是由材料所研发,另外目前全球拥有低温矽tft技术的公司不多,而台湾工研院电子所即是其中之一,对台湾在oled的发展上也提供了不少的助力,因此台湾未来在oled产

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120520.html2010/12/13 22:52:00

三种led衬底材料的比较

d芯片[/url]碳化硅衬底的导热性能(碳化硅的导热系数为490w/(m·k))要比蓝宝石衬底高出10倍以上。蓝宝石本身是热的不良导体,并且在制作器件时底部需要使用银胶固,这种银

  http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00

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