检索首页
阿拉丁已为您找到约 18243条相关结果 (用时 0.0129205 秒)

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233173.html2011/8/20 0:23:00

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271148.html2012/4/10 20:57:39

led芯片的技术发展状况

对于标准管芯(200-350μm2),日本日亚公司报道的最高研究水平,紫光(400 nm)22 mw,其外量子效率为35.5%,蓝光(460 nm) 18.8 mw,其外量子效率

  http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16

实现色温自动控制的白光led照明系统设计

片衰减和荧光粉衰减的数学模型。从理论上分析了芯片衰减和荧光粉衰减对荧光粉发光led的色坐标及色温变化的影响。提出了一种利用蓝光led与荧光粉发光led混合,通过对蓝光led进行负反

  https://www.alighting.cn/resource/20150319/83606.htm2015/3/19 16:55:47

gan基功率led电应力老化早期的退化特性

对ingan/gan多量子阱蓝光和绿光led进行了室温900 ma电流下的电应力老化,发现蓝光led老化到24 h隧穿电流最小,绿光led到6 h隧穿电流最小;同时,两种le

  https://www.alighting.cn/2013/4/10 11:40:42

常用的进口led测试仪器对比(三)光谱仪对比篇

单纯从谱仪硬件来讲,ol ,is, labsphere没有特别明显的差距,但是ol 770光谱仪内置有一个标准卤钨灯光源,当使用6inch的积分球做2π测量、以及平均光强测量

  http://blog.alighting.cn/light2all/archive/2012/7/7/281157.html2012/7/7 7:42:24

首页 上一页 445 446 447 448 449 450 451 452 下一页