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和丰老板失联68天被捕 1000余万元欠款仍无解

失联68天的和丰科技(深圳)有限(以下简称“和丰”)老板钟刚于1月13日被公安机关成功抓捕归案。深圳市《宝安日报》报道了这一消息,和丰的供应商也确认了此事。

  https://www.alighting.cn/news/20150116/81894.htm2015/1/16 11:57:42

“门外汉”跨界led两年欠千万 和丰法人代表失联

继广东中山的凤光照明老板欠下7000万元债务失联后,近日,和丰科技(深圳)有限公司(以下简称和丰)也传出法人代表携款跑路的消息。此时,距离和丰进入led行业不过两年。

  https://www.alighting.cn/news/20141204/86628.htm2014/12/4 11:31:16

三星led背光液晶电视出货旺 电源供应商首倍增

led tv销售佳,其中韩国三星业绩最为亮眼,这让该电源供应器厂首(1471)业绩强强滚。市场预估首2010年led tv出货量将突破700万台,较2009年倍增。首跨足液

  https://www.alighting.cn/news/20100301/117688.htm2010/3/1 0:00:00

提高gan发光二极管外量子效益的途径

发光二极管(led)低的外量子效率严重制约了led的发展,本文主要介绍了提高ganled外量子效率途径的最新进展,包括芯片非极性面/半极性面生长技术,分布布拉格反射层(db

  https://www.alighting.cn/resource/2009914/V937.htm2009/9/14 15:26:35

si衬底gan蓝光led老化性能

报道了芯片尺寸为500μm×500μm硅衬底gan蓝光led在常温下经1000h加速老化后的电学和发光性能,其光功率随老化时间的变化分先升后降两个阶段;老化后的反向漏电流和正向

  https://www.alighting.cn/resource/20111025/126967.htm2011/10/25 14:13:25

ganled电流扩展对其器件特性的影响

ganled的表面电流扩展对于器件的特性起着很重要的作用。制作环状n电极的器件在正向电压、总辐射功率、器件老化等特性方面较普通的电极都有很大的提高。通过一系列的实验对环状n电

  https://www.alighting.cn/2011/9/19 9:18:40

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对ganled特性的影响

摘 要:用同种ganled外延片材料制作了不同尺寸和电极位置的芯片,测试比较了它们的i-v特性和p-i特性。结果表明:ganled芯片在20ma以下的i-v特性和p-i特性

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

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