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12月24日晚间，新海宜公告称，公司控股子公司苏州新纳晶光电有限公司于2013年12月24日收到通知，苏州工业园区将对其“高亮度氮化镓基半导体照明外延片、芯片的研发及产业化”科
https://www.alighting.cn/news/20131225/111570.htm2013/12/25 9:55:46
12月22日，位于广西钦州高新区的钦州盛和电子·鲲炎led外延芯片生产研发基地项目，广西祥盈led封装、显示屏、照明灯具生产项目开工建设。
https://www.alighting.cn/news/20131224/98096.htm2013/12/24 9:51:57
台湾隆达苏州厂除封装及打线产能外，也开始导入晶粒产能。该公司表示，苏州厂预计将共导入16台mocvd机台，以2英寸来算，月产能约6万片，再加上目前台湾厂月产能16万片，总产能增幅约
https://www.alighting.cn/news/20131223/111806.htm2013/12/23 11:09:16
“无封装”技术并不是省去了整个封装环节，只是省去了一道金线封装的工艺而已，仍是众多的封装形式之一。“无封装”技术跟传统的封装有一些差异，是在晶片工艺的基础上做了一些封装的动作，把封
https://www.alighting.cn/news/20131221/87935.htm2013/12/21 22:56:47
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
台湾大厂鼎元大动作整顿转投资事业，将结束100%转投资的上游led磊晶厂鼎承，预计今年将提列约10亿元(新台币，下同)亏损，明年进行减资再增资。
https://www.alighting.cn/news/20131219/112201.htm2013/12/19 9:42:46
d的mocvd外延生长与芯片工艺研究工作，目前带领一个课题组开展led实用技术和oled照明前沿技术的研究工作。近年来，主持承担了国家科技部863计划重大项目、广东省科技计划工业攻
http://blog.alighting.cn/157938/archive/2013/12/18/346270.html2013/12/18 13:54:54
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
封裝最主要的目的為保護裡面的晶片以及放大電極方便電路電源或控制訊號線路之引接。一般一個晶片(chip)到我們使用產品須經三階基本的封裝，而一階重點在晶片的保護及電極放大、二階在電路
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125016.htm2013/12/11 12:02:47
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
