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数,2.利用高分辨x射线衍射对gan基led外延片的超晶格结构进行了测量, 3.利用高分辨透射电子显微镜对gan基led外延片进行了分析 4.利用f7000荧光光谱仪对样品进行了光
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127130.htm2011/9/16 15:30:52
使用扫描电子显微镜、高分辨率x射线衍射、raman散射、原子力显微镜、透射电镜等测试手段,对高铝组分的algan样品表面形貌的形成原因进行研究。结果表明,aln缓冲层的晶体质量,
https://www.alighting.cn/2011/9/15 10:11:48
系和色彩偏好体系的评价系统。目前，ncri-cam02ucs正在确定最后的颜色样品，之后该技术委员会将形成最终的技术报告。可以预见，这一新的评价体系的最终发布将在照明界掀起巨大的影
http://blog.alighting.cn/1023/archive/2011/9/8/236035.html2011/9/8 14:33:06
→7f5、5d4→7f4、5d4→7f3能级跃迁。其中以496 nm和549 nm的发射峰最强,样品呈现很好的绿色发光。主要激发峰位于200~300 nm之间,属于4f75d1宽
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127187.htm2011/9/7 9:32:56
、原子力显微镜、透射光谱以及光致发光光谱等表征技术,研究了zno/mgo多量子阱的结构、表面形貌和光致发光等特性.xrd以及扫描的结果表明多层膜样品具有高c轴择优取向并且与蓝宝石基
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
结合aln成核缓冲层技术和nh3流量调制缓冲层方法,采用mocvd在(0001)面蓝宝石衬底上生长了aln基板,用扫描电镜、原子力显微镜及x射线衍射仪对样品进行了表征,结果表明基
https://www.alighting.cn/resource/20110902/127209.htm2011/9/2 17:16:23
采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型gan.通过原子力显微镜观察到n型gan均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型gan表面台
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127219.htm2011/8/31 16:42:02
采用固源分子束外延技术,以α-al2o3(0001)为衬底,在不同衬底温度下制备了6h-sic薄膜。利用反射式高能电子衍射、原子力显微镜、x射线衍射对生长样品的结构和结晶质量进
https://www.alighting.cn/resource/20110831/127221.htm2011/8/31 16:05:19
建立了多芯片led集成封装的等效热路模型,并采用有限元分析(fea)的方法对多芯片led集成封装的稳态热场分布进行了分析,同时通过制作实际样品研究大功率led多芯片集成封装的热阻
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127237.htm2011/8/29 17:02:03
叙述了正向电压法测量功率型led温度系数k和热阻的原理,介绍了测试装置及具体测试过程,对蓝宝石衬底正装led和硅衬底倒装led的温度系数和热阻进行了测量。选用热阻已知的led样
https://www.alighting.cn/resource/20110829/127243.htm2011/8/29 15:21:17
