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以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279508.html2012/6/20 23:06:50
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279482.html2012/6/20 23:06:16
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279475.html2012/6/20 23:06:07
http://blog.alighting.cn/fafafa/archive/2012/6/20/279471.html2012/6/20 23:06:02
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279449.html2012/6/20 23:05:25
2)磷化镓(gap)——辐射绿色光谱(g)，波长约为570nm; (3)氮化铟镓(ingan)——辐射蓝光光谱(b)，波长约为400nm
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/20/279375.html2012/6/20 16:01:54
、w77%rb led驱动电路与电源等方面的研究，发表多篇学术论文，获得研究成果，如氮化镓基蓝、绿色led器件制备的关键技术研究，白色大尺寸led研究、新型半导体节能路灯、超高亮
http://blog.alighting.cn/zgf/archive/2012/6/20/279358.html2012/6/20 14:54:44
摘 要 高效大功率led的快速发展，促进led在各个领域的推广应用，尤其是在普通照明的应用。但是，高亮度的led产品，其潜在的光生物辐射安全问题越来越引起人们的关注。特别是基于氮
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279349.html2012/6/20 14:32:33
从当前的850亿美元增至2017年的1,200亿美元。但随着成本的降低和市场逐渐饱和，十年之后，市场规模将缩至1,050亿美元。 成本下降的关键驱动力之一是氮化镓led芯片生产
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279208.html2012/6/20 11:27:11
将散热模组结合，在此一繁琐的过程中可发现：具备再好的导热系数材料，也会被热阻阻抗打败。空气、结合处不密合的孔隙、散热垫片、散热膏矽油挥发后形成的粉状物、多层导热胶膜的膜厚，都会形成
http://blog.alighting.cn/jieke/archive/2012/6/20/279200.html2012/6/20 11:22:58
