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谁是中国未来led照明市场发展的主力?

好的发展前景:  ①国内一些企业拥有核心知识产权,如晶能光电的硅衬底氮化蓝光项目,大连路美的芯片领域核心技术,都具有全球竞争力,这些企业在技术发展上容易形成示范效应,促进国内企业市

  http://blog.alighting.cn/chlhzm/archive/2012/4/1/270008.html2012/4/1 13:24:50

非极性和半极性面氮化物材料和器件生长

本文为日本名城大学hiroshi amno教授关于《非极性和半极性面氮化物材料和器件生长》的一篇精彩演讲的演讲稿件,现在共享与此,提供给大家参考阅读。

  https://www.alighting.cn/resource/20120326/126644.htm2012/3/26 14:09:45

全面分析led照明灯具发展向室内照明产品技术要求

片本身;二是灯具技术,包含散热、光学、驱动。首先是芯片,目前,led 芯片技术发展的关键在于基底材料和外延生长技术。基底材料由传统的蓝宝石材料、硅和碳化硅,发展到氧化锌、氮化等新

  http://blog.alighting.cn/lanjianghong/archive/2012/3/22/269114.html2012/3/22 9:54:44

led封装技术探讨

、四个led芯片,可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装,在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片,内部的联线是混联型式,即有多个芯

  http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268593.html2012/3/17 13:37:48

safc hitech台湾新厂扩产高亮度led前驱体产能

正申请iso14001安全与环境协议认证,将针对高亮度led(hbled)的需求上升,大幅增加其制程所使用的三甲基(tmg)、三乙基(teg)和叁甲基铟(tmi)的产

  https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15

超高图像质量室内外全彩led显示屏

位为电子伏特(ev),例如砷化eg=1.43ev,峰值在近红外区,而磷化eg=2.26ev,发光峰值在绿区,对于gaas等半导体材料或它们的组合晶体gaasp,其禁带宽度对

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268498.html2012/3/16 14:14:52

icl8001g可控硅调光led驱动电路与应用

色化。氮化基底的蓝色led的出现,更是扩展了led的应用领域。  led的发光原理就是将电能转换为光的过程,将电流通过化合物半导体,通过电子与空穴的结合,过剩的能量将以光的形式释

  http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268453.html2012/3/16 13:14:20

led技术在照明领域的应用前景

构从事氮化基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有:日本的nichia;美国的lumileds、gree;德国的osram等。这

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268378.html2012/3/15 21:58:25

led芯片的技术发展状况

掉原来用于生长外延层的衬底,然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上,如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

垂直结构led技术面面观

以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层,优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法:剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13

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