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高亮度led发光效益技术

战来自于热处理议题。这是因为在高热下,晶格会产生振动,进而造成结构上的改变(如回馈回路变成正向的),这将降低发 光度,甚至令led无法使用,也会对交错连结的封入聚合

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258579.html2011/12/19 11:01:19

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合物,不仅增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258565.html2011/12/19 11:00:41

光纤led驱动电路的设计

m波长时为0.2db/m,而200μm hcs光纤在650mm波长典型损耗值仅为8db/km,在820nm波长时更少。hcs光纤的核心是石英玻璃,包层是专利的高强度聚合物,不仅增

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258550.html2011/12/19 10:59:19

探讨照明用led封装如何创新

前所见到的还是将荧光粉浆直接涂敷在芯片上面,同一块模组的荧光粉还是较一致,但对大批量生产就可能会出现不同的模组用眼睛看出色差来,较好的办法是使用led荧光粉薄膜或膜片,薄膜和膜片可

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258501.html2011/12/19 10:56:42

用于lcd背光的led技术进步

色。  最近,欧司朗光电半导体开发出一种制造led的新方法,一种称为“薄膜”的工艺。在“薄膜”工艺中,led晶圆采用与传统alingap和ingan晶圆同样的工艺制造,一个不同点就

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258494.html2011/12/19 10:56:26

led芯片的技术发展状况

中,往往是制作特殊形状的芯片来提高侧向出光的利用效率,也可以在发光区底部(正面出光)或者外延层材料(背面出光)进行特殊的几何规格设计,并在适当的区域涂覆高防反射层薄膜,来提高芯片的侧

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258474.html2011/12/19 10:55:33

垂直结构led技术面面观

、采用碳化硅基板生长gan薄膜,优点是在相同操作电流条件下,光衰少、寿命长,不足处是硅基板会吸光。二、利用芯片黏合及剥离技术制造。优点是光衰少、寿命长,不足处是须对led表面进行处理

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258466.html2011/12/19 10:54:53

led照明产业化政府应率先应用推动

大多数led的生产是在一个蓝宝石或碳化硅衬底上沉淀多层gan薄膜,而晶能认为,基于硅衬底生长的led在成本节约和控制上将发挥更大潜力,并且性能丝毫不亚于传统工艺制作的led,晶能光电

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258444.html2011/12/19 10:49:37

led技术将可应用在信用卡上

术的改善,信用卡将可加入更复杂的半导体与其它组件。将led (light-emitting diodes) 技术应用到薄膜上,之后可以嵌入许多装置中。目前agilight的led条

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258420.html2011/12/19 10:46:13

大功率led散热封装的研究

随着led器件功率的不断增加,散热问题变得尤为突出,国内外都认为这是led发展前进道路上亟待突破的一个关键技术。为此,各个产家和研发机构都采取了不同的封装方式来解决,但总存在着热沉

  https://www.alighting.cn/2011/12/16 14:52:06

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