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2 o3与gan缓冲层之间的应力以提高缓冲层的质量 ,从而提高外延层gan的质量 ,达到器件制作的要求
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127170.htm2011/9/9 9:12:43
n的自然解理面.室温,电脉冲注入,激光器可实现激射.阈值电流密度为3.3ka/cm2,特征温度为145k
https://www.alighting.cn/resource/20110909/127172.htm2011/9/9 8:46:06
《高亮度leD照明的设计挑战和解决方案》内容介绍1.高亮度leD;2.普通的照明;3.汽车电子;4.显示器背光;5.结论。
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/8/18534_10.htm2011/9/8 18:05:34
件光学特性的影响。初步的研究结果表明:热处理后的直径为3μmps微球层可将限制在玻璃衬底中的部分光耦合到前向外部空间,并将oleDs器件正方向的发光亮度(效率)提高大约9
https://www.alighting.cn/resource/20110908/127174.htm2011/9/8 11:41:29
驱动器可以看作是向白光leD 供电的特殊电源，可以驱动正向压降为3.0~4.3v 的白光leD，并根据需要驱动串联、并联或串并联的多个白光leD，满足驱动电流的要求。本文就白
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/7/154456_47.htm2011/9/7 15:44:56
采用高温固相法合成了绿色荧光粉caba2(bo3)2∶tb3+并对其发光特性进行了研究。发射峰值位于496,549,588,622 nm,分别对应tb3+的5D4→7f6、5D4
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127187.htm2011/9/7 9:32:56
报导了一个利用leD作光源探测甲烷浓度的差分探测系统,分析了系统中各光学元件的作用,给出甲烷浓度的计算方法及实验结果.选用甲烷在1.65μm附近2ν3谱带中的r支作为探测对象.利
https://www.alighting.cn/resource/20110907/127188.htm2011/9/7 9:22:31
采用射频反应磁控溅射的方法,在经过氧化处理的al2o3(0001)基片上制备了具有良好调制结构的zno/mgo多层膜量子阱.利用x射线反射率测量、x射线衍射分析、电子探针显微分析
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127190.htm2011/9/6 14:26:27
为106k,jc(77k,0t)为3.5ma/cm2,微波表面电阻rs(77k,10ghz)为390μ
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127193.htm2011/9/6 13:37:42
主要内容：1.有何改变;2.epa认可之实验室与认证机构的角色;3.新的合作伙伴协议及产品标准;4.能源之星时间表和大事记;5.首次产品资格审核;6.年度验证测试;7.如何处理已
https://www.alighting.cn/resource/2011/9/5/17461_60.htm2011/9/5 17:46:01
