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根据我国海关数据，2013年第一季度封装器件出口金额近6.4亿美元，较去年同期增长16.5%，出口数量则达到132.74亿只，同比增长达18%，平均价格小幅下降;器件进口则出现价
https://www.alighting.cn/news/20130802/98512.htm2013/8/2 11:56:01
led产业链总体分为上、中、下游，分别是led外延芯片、led封装及led应用。作为led产业链中承上启下的led封装，在整个产业链中起着无可比拟的重要作用。基于led器件的各
https://www.alighting.cn/news/2012425/n516339165.htm2012/4/25 10:19:29
将GaN基蓝光芯片涂敷yag荧光粉和透明硅胶制成额定功率为1 w的自光发光二极管(led)，对其施加900ma的电流应力，在老化过程中测量白光led的主要光学参数，考察其光学特
https://www.alighting.cn/resource/20141113/124094.htm2014/11/13 14:26:30
近年来，氮化镓基发光二极管迅猛发展，它具有高亮度、低能耗、长寿命的优良特点，是发展固态照明技术的关键元器件。目前在GaN基led中，氧化铟锡由于其高电导率和高透光率，已成为le
https://www.alighting.cn/resource/20140529/124545.htm2014/5/29 14:39:49
源制造商正在加强和led制造商的联合。超高亮度led主要指algainp的红、橙、黄色led，GaN基蓝、绿、紫和紫外线le
https://www.alighting.cn/resource/20110104/128108.htm2011/1/4 10:59:03
市场研究机构ims预测2012年GaN基mocvd的出货量将从2011年的654套降至342套，下降幅度达48%。当前正处谷底，预计今年二季度中后期会有缓慢的回升，该预测是基于
https://www.alighting.cn/news/20120327/89383.htm2012/3/27 15:41:55
最新报告显示，2010年第三季生产GaN led的金属有机化学气相沉积(mocvd)设备出货量又创新高，同时在2011和2012年供给增长将进一步超过需求成长的预期下，led过
https://www.alighting.cn/news/20110308/90910.htm2011/3/8 13:50:08
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(GaN)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v，电流为350ma的情况下该芯片功耗为61
https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52
