站内搜索
led 的核心材料是镓(ga)与砷(as)、磷(p)、铟的化合物制成的半导体芯片的发光材料。目前，基于宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)和铟氮化稼(inGaN)的是最具有商业应用价
https://www.alighting.cn/news/20140103/98638.htm2014/1/3 15:16:29
德国爱思强股份有限公司今日宣布，与波兰华沙大学签订mocvd 系统新订单。根据合同，华沙大学订购了一台3x2 英寸规格的近耦合喷淋头(ccs)反应器，将用于氮化镓(GaN)材
https://www.alighting.cn/news/20120509/113375.htm2012/5/9 10:36:35
虽然东芝和普瑞光电合作仅数月，他们已经对外公布在8英寸矽衬底生长出高品质的GaN，所得led芯片大小为1.1mm。在电压不超过3.1v，电流为350ma的情况下该芯片功耗为61
https://www.alighting.cn/news/20120516/113503.htm2012/5/16 11:24:52
2007年4月11日，aixtron ag 宣布三星电机(semco)一月份再订其两台aix 2600g3ht mocvd系统用以生产高亮(hb)蓝、白光GaN led，两台工具
https://www.alighting.cn/news/20070412/117119.htm2007/4/12 0:00:00
据aixtron报道，昨日宣布收到来自上海蓝光新的mocvd设备订单，四套配置是crius® 31x2英寸 mocvd，用于生产高亮GaN led。据悉，这是上海蓝光在今
https://www.alighting.cn/news/20100826/117401.htm2010/8/26 0:00:00
日亚化学开发出连续振荡时中心波长为488nm的蓝绿色半导体激光元件，08年3月开始样品供货。该产品在使用GaN系半导体激光元件并已投产的品种中，发光波长最长。
https://www.alighting.cn/news/20080125/118964.htm2008/1/25 0:00:00
近日，aixtron宣布同方订购两套aix2800g4ht42x2英寸mocvd沉积系统，这是在年初下的订单，已在今年q3完成交付。据了解，设备用来生产GaN超亮蓝光led的生
https://www.alighting.cn/news/20101014/119693.htm2010/10/14 0:00:00
在大气室温条件下, 对以上未封装器件采用k eithley-4200 及st-86la 测试了其电流-电压( i-v), 亮度-电压(b-v)特性曲线, 采用opt-2000型光
https://www.alighting.cn/2015/1/9 13:39:17
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议于12月1日到3日在广州召开，会议由中国电子学会半导体与集成电路分会、电子材料分会主办，是国内化合物半导体、微波器件和光电
https://www.alighting.cn/news/20090108/93115.htm2009/1/8 0:00:00
科锐（nasdaq: cree）于日前正式商业化量产基于sc5技术平台的超大功率xlamp xhp50 led器件和xlamp xhp70 led器件。科锐开创性的技术将帮助推
https://www.alighting.cn/news/20150112/110289.htm2015/1/12 10:47:18
