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多争论， 但是加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究者们说他们利用量子机械计算方法找到了这个现象的形成机制。 他们总结到，led光衰(led droop)是由俄歇复合(auge
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222273.html2011/6/20 22:36:00
光灯。 他们深入研究在长时间高功率驱动下led光衰这一现象。造成这一现象的原因已经引发了很多争论， 但是加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究者们说他们利用量子机械计算方法找
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222259.html2011/6/20 22:29:00
宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。 ④蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出pn结后，将蓝宝石衬底切除，再连接上传统的四元材
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222243.html2011/6/20 22:21:00
光，改变世界 数百年来，物理学家对“光”的认识与诠释，由“波动说”到“粒子说”，演化到光的“量子说”。人类对光的研究与认识逐渐明朗，正如心经中对舍利子的叙述，“波粒二象性”已
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/20/222227.html2011/6/20 22:10:00
言其内量子效率为100%。但是载流子在介质中与晶格碰撞而损失的能量、复合时载流子所携带的动能、以及为克服外电路电阻而消耗的电能均不可能转化为光能。考虑到各种附加能耗、载流子复合的实际
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222087.html2011/6/19 23:16:00
又相对较低，所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路一体化封装预留空间。 ④ 蓝宝石衬底过渡法。按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出pn结后，将蓝宝石衬
http://blog.alighting.cn/neuway/archive/2011/6/19/222027.html2011/6/19 22:45:00
小。 （2）温度升高，势阱中电子与空穴的辐射复合几率降低，造成非辐射复合（产生热量），从而降低led的内量子效率。 （3）温度升高导致芯片的蓝光波峰向长波方向偏移，使芯
http://blog.alighting.cn/zaqizaba/archive/2011/6/19/222019.html2011/6/19 22:40:00
度。显然，减小led温升效应的主要方法，一是设法提高元件的电光转换效率（又称外量子效率），使尽可能多的输入功率转变成光能，另一个重要的途径是设法提高元件的热散失能力，使结温产生的热，通
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/6/18/221770.html2011/6/18 20:03:00
近日，中国科学院半导体研究所纳米光电子实验室与超晶格国家重点实验室分子束外延(mbe)课题组合作，采用分子束外延技术生长的ingasb/algaassb应变量子阱激光器，实现了高
https://www.alighting.cn/news/20110614/100401.htm2011/6/14 13:38:37
、斯派克、联创健和、洲明科技、艾比森、国星光电、路明集团、量子光电、瑞丰光电、鸿利光、雷曼光电、九洲光电、士兰明芯、迪源光电、华灿光电等众多知明led企业的大力支持。 【展
http://blog.alighting.cn/cioe0011/archive/2011/6/3/187230.html2011/6/3 11:48:00
