站内搜索
近几年来，硅衬底gan基led技术备受关注。因为硅(si)衬底具有成本低、晶体尺寸大、易加工和易实现外延膜的转移等优点，在功率型led器件应用方面具有优良的性能价格比。
https://www.alighting.cn/resource/20131220/124982.htm2013/12/20 10:34:55
随着led照明市场的大规模启动，led产业面临前所未有的机遇，而先进材料的应用无疑是推动led照明提速发展的重要因素，为led应对通用照明日益严苛的要求提供了有力支持。
https://www.alighting.cn/news/20131219/85322.htm2013/12/19 14:13:06
为解决不同场合下对调光的要求以及节能等问题，将调光技术应用到led驱动器中。对pwm调光、模拟调光、可控硅调光3种调光方式的优缺点及应用场合进行了分析，提出了基于l6562单
https://www.alighting.cn/resource/20131216/124999.htm2013/12/16 14:34:04
由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力，gan/si基器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限
https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47
展总监 • 2012年，创立涌奇材料技术(上海)有限公司，作为发明人先后申请光扩散粒子相关国家发明专利3项：有机硅光扩散粒子的制备方法及其应用(专利号：201310185112.
http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/12/13/346130.html2013/12/13 14:30:31
ø 2009.5 – 2011.5 大中华区业务发展总监 • 2012年，创立涌奇材料技术(上海)有限公司，作为发明人先后申请光扩散粒子相关国家发明专利3项：有机硅光扩散粒子的制备方法及
http://blog.alighting.cn/200369/archive/2013/12/13/346127.html2013/12/13 14:10:47
石衬底剥离, 结合金属熔融键合技术, 在300℃中将gan 基led 转移至高电导率和高热导率的硅衬底, 制备出了具有垂直结构的gan 基led, 并对其电学和光学特性进行了测
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
环氧树脂封装材料由于存在诸多不足，长期以来仅限于小功率led的封装，而大功率led的封装只能依赖国外进口的有机硅封装材料。通过高折射率无机氧化物的改性作用而制备的纳米改性有机硅封
https://www.alighting.cn/2013/12/13 10:54:00
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
随着我国微电子组装技术整体水平的不断提升，高密度室内led显示屏的像素中心距不断取得突破，室内led显示屏像素中心距已迈入1.xmm时代。
https://www.alighting.cn/news/20131212/87890.htm2013/12/12 11:50:01
