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日亚化学 (nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板,配合工艺与结构的改良,制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管,打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光器所保
https://www.alighting.cn/news/20090616/104671.htm2009/6/16 0:00:00
6月15日消息,cree表示在2009年已经开始生产四英寸的外延片,该公司的北卡罗来纳州工厂同时生产碳化硅微电子器件和led照明灯具,其第三财季的净收入比去年同期增长5%,达到1
https://www.alighting.cn/news/20090616/119675.htm2009/6/16 0:00:00
日本led大厂日亚化学(nichia)利用制造蓝光激光器的GaN基板,配合制程与结构的改良,制作出波长515 nm的连续波绿光激光二极管,打破先前电激发氮化铟镓(inGaN)激光
https://www.alighting.cn/news/20090616/120385.htm2009/6/16 0:00:00
l6808规格书 cl6808详细应用介绍 cl6808应用方案 生产cl6808 mr16(bom) cl6808参考pcb文件 ◆ 极少的外围器件数 ◆ 宽输入电压范围:5v至3
http://blog.alighting.cn/hellenxu/archive/2009/6/15/4019.html2009/6/15 15:43:00
相比白炽灯、荧光灯等传统光源,led 为半导体器件,没有使用钨丝或玻璃,耐振动使器件寿命变长。led 体积小、光色控制容易、容易配合应用上的需求制成极小或阵列式模块,可达到过去
https://www.alighting.cn/news/20090615/93539.htm2009/6/15 0:00:00
美国加州大学圣塔芭芭拉分校 (ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现,对于以氮化钾(GaN)为主的led,俄歇复合(auger recombination)是其效率下
https://www.alighting.cn/news/20090615/104758.htm2009/6/15 0:00:00
美国加州大学圣塔芭芭拉分校(ucsb)的研究团队宣称通过第一原理计算发现,对于以氮化钾(GaN)为主的发光二极管(led),俄歇复合(auger recombination)是
https://www.alighting.cn/resource/20090615/128704.htm2009/6/15 0:00:00
不一定要求最低价采购,同时对器件选择国产化的比例上要有一定的限制。 大连科技局在提议中说到要处理好示范和试点的关系,目前存在需求水平高于产业供给水平的状况,因此不只要“亮”而
http://blog.alighting.cn/ledsworld/archive/2009/6/12/3966.html2009/6/12 19:15:00
当发光二极管(led)在20世纪60年代作为一种新型的半导体显示器件诞生的时候,可能很少有人会预料到,在不到50年后的今天,led会形成一个庞大的产业,这个产业目前已经达到了全
https://www.alighting.cn/news/20090612/96356.htm2009/6/12 0:00:00
型n-zno/i-mgo/p-si双异质结p-i-n紫外探测器结构,研制成功si基zno可见盲紫外探测器原理型器件。其独创的硅基氧化锌单晶材料生长工艺以及新型器件结构设计与制备技术为我国在光电子技术领域的自主创
https://www.alighting.cn/resource/20090610/128702.htm2009/6/10 0:00:00