站内搜索
善发光效率，以及发光特性均等化。 有关温升问题具体方法是降低封装的热阻抗；维持 LEd 的使用寿命具体方法，是改善芯片外形、采用小型芯片；改善 LEd 的发光效率具体方法是改善芯
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274779.html2012/5/16 21:31:14
足实用化的要求，但技术的优势还没有发挥出来，在材料、彩色化、大尺寸、柔软显示 ic 、封装和生产工艺等方面都还有改进的余地。从长远来看， oLEd 未来的发展将沿着小尺寸、中尺寸、
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274775.html2012/5/16 21:31:05
余80至85%则转换成热，若这些热未适时排出至外界，那么将会使LEd晶粒界面温度过高而影响发光效率及发光寿命。 LEd发展 散热是关键 随着LEd材料及封装技术的不断演进，促使LE
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274774.html2012/5/16 21:31:02
关重要。一般来说，LEd的人体静电模式测试失效电压不应低于2000v。3、 衰减特性 红、绿、蓝LEd均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。LEd芯片的优劣、辅助物料的好坏及封
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274769.html2012/5/16 21:30:48
2倍依次提高输出电压。实现1.33倍升压的常规方法需要增加器件引脚和外部元件的数量，相应地，需要更多引脚的封装和更大面积的印刷电路板空间，这使整个解决方案的成本远高于只有三种运行模
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274764.html2012/5/16 21:30:31
t）的进阶封装方式，以有效发挥LEd的照明效益。高亮度LEd（high-brightness light emitting diodes；hb LEd）的出现，在照明产业中掀起了一股狂
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274758.html2012/5/16 21:30:13
进参考。1.)LEd芯片&封装组件发光效率关键技术指针：首要之LEd芯片&封装组件关键技术美、日厂商均已量产突破发光效率100~120 lm/w以上，超越传统最高效
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274757.html2012/5/16 21:30:05
可保护发光管不受损坏。其较高的恒定电流准确性可以有效延长发光管的寿命，同时其tqfp100封装也可使驱动板面积大为减少。tlc5902的主要特征如下： ●具有80ma%26;#21
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274753.html2012/5/16 21:29:53
係。单管的发光强度从几个mcd到5000mcd不等。LEd生產厂商所给出的发光强度指LEd在20ma电流下点亮，最佳视角上及中心位置上发光强度最大的点。封装LEd时顶部透镜的形状和LE
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274751.html2012/5/16 21:29:47
是有很大的参考价值；寿命试验以外延片生产批为母样，随机抽取其中一片外延片中的8~10粒芯片，封装成ф5单灯器件，进行为96小时寿命试验，其结果代表本生产批的所有外延片。一般认为，试
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274748.html2012/5/16 21:29:36
