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入iii、ii族金属元素的烷基化合物(甲基或乙基化物)蒸气与非金属(v或vi族元素)的氢化物(或烷基物)气体,在高温下,发生热解反应,生成iii-v或ii-vi族化合物沉积在衬
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积(metal-organic chemical vapor deposition,简称mocvd)技术生长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常
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长iii-v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。下面是关于led外延片技术的一些资料。1.改进两步法生长工艺目前商业化生产采用的是两步生长工艺,但一次可装入衬底数有限,6片
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能保持较高发光效率是led白光照明中的一个重要的课题。3)灯具系统的二次光学设计传统灯具长期以白炽灯、荧光灯光源为参照物来决定灯具的光学和形状的标准,因此led灯具系统应考虑摒弃传
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流焊机加热硬化。它与所谓的焊膏是不相同的,一经加热硬化后,再加热也不会溶化,也就是说,贴片胶的热硬化过程是不可逆的。 smt贴片胶的使用效果会因热固化条件、被连接物、所使用的设备、操
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通墙纸或塑料墙纸。防静电地线的埋设:(1) 厂房建筑物的避雷针一般与建筑物钢筋混凝土焊接在一起妥善接地,当雷击发生时,接地点乃至整个大楼的地面都将成为高压强电流的泄放点。一般认为在泄
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薄膜型电致发光显示器(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示器的高性能替代物而开
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子。--------------------------------------------------------------------------------[定义]mocvd(或movpe)意为金属有机化学汽相外延淀积(或金属有机汽相外延),是一种制备化合物半导体薄层单晶材料的方法。1968年由manasevit提出,到80年代后
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格昂贵。因而氮化镓厚膜作为半导体照明的衬底之用受到限制。氮化镓衬底生产技术和设备缺乏氮化镓衬底是阻碍氮化物研究的主要困难之一,也是造成氮化镓发光器件进展目前再次停顿的根本原因！虽然有
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v族,ii-vi族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。ii、iii族金属有机化合物通常为甲基或乙基化合物,如：ga(ch3)3,in(ch3)3,al(ch3)3,ga(c2h5)
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