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3. 设计思路 彩显幕墙显示涉及到光学、电学、控制、机械、材料、艺术等多学科的技术。在保证照明功能的前提下设计达到与环境相符的视觉效果。 具体设计可以采用方形的发光（显
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271745.html2012/4/10 23:30:43
http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274776.html2012/5/16 21:31:07
非相干光辐射的p-n结半导体器件。发出的光谱可能在紫外、可见光或红外波长区域。（3）led晶片（leddie）：一小块装配在给定功能led线路上的发光的半导体材料。（4）led阵列
http://blog.alighting.cn/1077/archive/2012/10/8/292592.html2012/10/8 18:29:33
led作为一个电致发光的p-n结器件，其特性可通该p-n结的电 学参数，以及作为一个发光器件的光学参数来进行描述。 伏安特性是描述一个p-n结器件的重要参数，它是p-n结性
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120381.html2010/12/13 14:28:00
近几年发光二极管(led)的应用在不断增长，其市场覆盖范围很广，包括像指示灯、聚光灯和头灯这样的汽车照明应用，像显示背光和照相机闪光灯这样的照相功能，像led显示器背光和投射系
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127030.html2011/1/12 16:38:00
然目前价格因素制约了大功率led的推广应用，在室内通用照明方面，大功率led还不足以撼动其它光源的主体地位，但是随着led发光效率的不断提高，其在室内照明所拥有的成本方面的优势也日
http://blog.alighting.cn/1049/archive/2007/11/26/8184.html2007/11/26 19:28:00
2）通过引入ain,algan多层缓冲层，大大缓解了si衬底上外延gan材料的应力，提高了晶体质量，从而提高了发光效率。 （3）通过优化设计n-gan层中si浓度结构及量子阱/
http://blog.alighting.cn/qq367010922/archive/2010/12/14/120857.html2010/12/14 21:43:00
n，algan多层缓冲层，大大缓解了si衬底上外延gan材料的应力，提高了晶体质量，从而提高了发光效率。 (3)通过优化设计n-gan层中si浓度结构及量子阱/垒之间的界面生长条
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127090.html2011/1/12 17:23:00
不说明了ⅲ－ⅴ族元素所蕴藏的潜能，表１－１为目前商品化ｌｅｄ之材料及其外延技术，红色及绿色发光二极管之外延技术大多为液相外延成长法为主，而黄色、橙色发光二极管目前仍以气相外延成长
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134112.html2011/2/20 22:50:00
前正朝着更高亮度、更高耐气候性、更高的发光密度、更高的发光均匀性、可靠性、全色化方向发展。 由组成半导体的材料不同而可以得到能发出不同色彩的led晶点。目前应用最广的是红色、绿色
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/5/20/179893.html2011/5/20 0:40:00
