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一、 全面考虑性能参数 半导体发光二极管(led)因其体积小、定向发射光、高亮度、pn结电特性等特点,从而在品质的评价和检测方法方面产生许多新的问题。不同的应用场合,决定了
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134136.html2011/2/20 23:02:00
结组成的发光二极管,当正向电流从pn结流过时,pn结有发热损耗,这些热量经由粘结胶、灌封材料、热沉等,辐射到空气中,在这个过程中每一部分材料都有阻止热流的热阻抗,也就是热阻,热阻是
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发光二极管(light emitting diode,led)发明于20世纪60年代,它是利用半导体材料中的电子和空穴相互结合并释放出能量,使得能量带(energy gat,)位
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正端(vdd)相连,流经电感器的电流开始呈线性迅速上升。当pwm信号达到高电平时,功率开关q1就会断开,此时,电流流经二极管d,来维持电流回路。 电容器co会过滤经调节的输
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134129.html2011/2/20 22:59:00
前言:毫无疑问的,这个世界需要高亮度发光二极管(high brightness light-emitting diode;hb led),不仅是高亮度的白光led(hb wle
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134124.html2011/2/20 22:58:00
1.工艺: a) 清洗:采用超声波清洗pcb或led支架,并烘干。 b) 装架:在led管芯(大圆片)底部电极备上银胶后进行扩张,将扩张后的管芯(大圆片)安置在刺晶台
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134127.html2011/2/20 22:58:00
们的兴趣。f.manyakhin等人通过分析ingan/algan/gan发光二极管在大电流老化试验中光电学参数的变化和空间电荷区的离化受主分布[15],认为在老化试验第一阶段,有
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134120.html2011/2/20 22:55:00
部的开关管被击穿而损坏。所以,没有内置开路保护电路的芯片会要求外部增加一个齐纳二极管,利用它的击穿来保护内部的开关管。保护电路如图2所示。 图4:混合模式控制原理图。
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/2/20/134117.html2011/2/20 22:54:00
[1]报道的第一个gan发光二极管到nakamura[2]研制出的gan基蓝光激光器仅仅只有二十几年的时间。近年来,有关gan基材料和器件的研究及发展更是大大加速了。由于gan大尺
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简介 数十年来,不起眼的发光二极管(led)已经在众多应用中得以广泛采纳,设计人员对其设计要求非常熟悉,以至于大多数人都不太会对它们进行深入的思考。不过,一种新型的大功率le
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