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提高取效率降热阻功率型led封装技术

片光电参数配合:半导体工艺的特点,决定同种材料同一晶圆芯片之间都可能存在光学参数(如波长、光强)和电学(如正向电压)参数差异。rgb三基色芯片更是这样,对于白光色度参数影响很大。这

  http://blog.alighting.cn/wasabi1988/archive/2011/2/19/133826.html2011/2/19 23:17:00

rubicon公司发布4q10营收年增246%

近日,led上游材料蓝宝石基板供应商rubicon technology inc.公布4q10(2010年10-12月)财报:营收2,953.7万美元,年增246%,季增44%;每

  https://www.alighting.cn/news/20110218/115840.htm2011/2/18 9:23:43

大功率led关键技术mocvd最新进展

少是mocvd系统制造商的一个关键目标。影响mocvd工艺的生产率和成本的精确参数分析是任何改善努力的前提。通过这种分析,我们发现产率(每单位时间生产的晶圆面积)和产量是关键特性。  

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127093.html2011/1/12 17:24:00

【专业术语】基片|衬底(substrate)

e晶圆。之后,利用激光照射溶解掉gan类结晶层与蓝宝石底板的界面部分,剥离蓝宝石底板。   近年来,为了增加从led芯片中提取光线,在基片上形成半导体结晶层后,将基片张贴到其他基

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00

白光led在室内照明日光灯管中的应用1

v;整个方案效率大于90%;总功耗:15瓦;最大的光通量:1,250流明。   2. led模组部分   cl-822 led主要材料为nichia的晶圆和荧光粉。正向电压值为3.

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127036.html2011/1/12 16:41:00

led芯片的制造工艺流程简介

led 芯片的制造过程可概分为晶圆处理工序(wafer fabrication)、晶圆针测工序(wafer probe)、构装工序(packaging)、测试工序(initia

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127001.html2011/1/12 0:49:00

通过散热设计延长led主照明寿命

若将蓝宝石基板厚度由100微米缩短至80微米,晶片热阻可降低20%,但不能无限制的缩短造成晶圆片破片。另外,若将kchip值提高至280w/mk(sic),晶片热阻可降低87.5

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126775.html2011/1/9 21:14:00

以dlc接口及钻铜基材制造大功率的垂直led

d使用的芯片面积较小,因此晶圆上切出的管芯数目较多,也就是单颗led的制造成本可能降低。尤其进者,电流转弯时,若扩大芯片的面积,会使led发光更不均匀。但顺流led发射的光子数目则

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/9/126774.html2011/1/9 21:13:00

philips lumileds率先量产150毫米晶圆

philips lumileds现已成为首家量产150毫米晶圆的功率型led制造商并正在大型衬底上每周生产数百万颗基于氮化镓(gan)材料的leds. lumileds拥有全球最

  https://www.alighting.cn/news/20101221/n924929728.htm2010/12/21 9:57:44

philips lumileds再领led业界之先 率先量产150毫米晶圆

philips lumileds现已成为首家量产150毫米晶圆的功率型led制造商并正在大型衬底上每周生产数百万颗基于氮化镓(gan)材料的leds. lumileds拥有全球最

  https://www.alighting.cn/news/20101217/118877.htm2010/12/17 17:49:25

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