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英国kubos半导体将推出大规模制造绿色led的工艺

据rebecca pool报道,kubos半导体公司利用其立方GaN外延技术,打算很快推出大规模制造绿色led的工艺。

  https://www.alighting.cn/news/20191128/165369.htm2019/11/28 9:38:13

pyro 400在线测量GaN温度

laytec于11月前推出最新的产品pyro 400。传统的红外高温测量法只能监测到蓝宝石或sic晶片下面的基座表面温度,与之不同的是,pyro 400是一种真正能精确测量GaN

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230115.html2011/7/18 23:52:00

助力uv-c led器件开发,欧司朗与hexatech签战略协议

h的知识产权(ip)许可,其中,前者涉及作为hexatech公司2英寸(直径)基板开发项目的直接支持的氮化铝(aln)基

  https://www.alighting.cn/pingce/20170220/148268.htm2017/2/20 9:34:49

GaN基功率型led芯片散热性能的测试与分析

与正装led相比,倒装焊芯片技术在功率型led的散热方面具有潜在的优势。对各种正装和倒装焊功率型led芯片的表面温度分布进行了直接测试,对其散热性能进行了分析。研究表明,焊接层的材

  https://www.alighting.cn/resource/2010118/V1059.htm2010/1/18 11:25:13

GaN基倒装焊led芯片的光提取效率模拟与分析

研究结果表明:采用较厚的蓝宝石衬底喝引入ain缓冲层均有利于led光提取效率的提高。

  https://www.alighting.cn/resource/20141027/124165.htm2014/10/27 11:29:03

刻蚀深度对si衬底GaN基蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oan基led外延材料,将其转移到新的硅基板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸为

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

光电激发方式对algainp及GaN基led电学特性的影响

采用光激励与电激励的方式对algainp与ingan/gan基led的电学特性进行了表征,并重点比较分析了两种激励方式的下理想因子这一重要参数的差异。探讨了影响led理想因子的因素

  https://www.alighting.cn/2013/4/15 10:33:09

p层厚度对si基GaN垂直结构led出光的影响

利用金属有机化学气相沉积(mocvd)法在si衬底上生长了一系列具有不同p层厚度d的ingan/gan蓝光led薄膜并制备成垂直结构发光二极管(vleds),研究了p层厚度即p面金

  https://www.alighting.cn/resource/20130403/125768.htm2013/4/3 10:40:48

提携宣德led路灯事业,陈进财接掌董座大印

宣德(5457)在今天召开的股东会上进行董监改选,正如法人早期预测,稳懋及广光电(8199)董事长陈进财及稳懋公司各占得一席董事。同时,董事会还宣布陈进财接任董事长一职。

  https://www.alighting.cn/news/20090619/93511.htm2009/6/19 0:00:00

英业达、英华达、东贝、亿光参股

广光电(8199)办理的36亿元新台币现金增资股款催缴至上周五截止,资金已全数到位。大股东放弃部份额度,引进英业达、英华达、东贝等策略股东参与,而亿光也按原比例增加持股,

  https://www.alighting.cn/news/20091228/107652.htm2009/12/28 0:00:00

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