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虽然业界传了很久，但还没有确切的消息，而今天台湾媒体经济日报则报导说，台湾龙头大厂晶元光电计划并购led外延厂广镓，以舒缓产能不足的窘境。
https://www.alighting.cn/news/20090506/95497.htm2009/5/6 0:00:00
7月3日，中国商务部和海关总署宣布，为维护国家安全和利益，决定自2023年8月1日起对镓和锗相关物项实施出口管制。
https://www.alighting.cn/news/20230706/174491.htm2023/7/6 14:34:21
近日，鼎镓半导体宣布了其基于第三代半导体的大功率深紫外led芯片的研发项目进入2023年度浙江南湖区科技计划重点项目名单。
https://www.alighting.cn/news/20230809/174837.htm2023/8/9 15:18:10
2008年3月17日，有报道称，台湾鸿海集团有意认购台湾led上游外延厂广镓光电发行的可转换公司债cb，被外界重视的原因为广镓在台湾led外延厂中，仅次于上游大厂晶电，而鸿海集
https://www.alighting.cn/news/20080317/118646.htm2008/3/17 0:00:00
美国能源部(doe)下属能源转换机构arpa-e已经选定氮化镓对氮化镓(gan-on-gan)新成立公司soraa来引领gan基质研发项目。
https://www.alighting.cn/news/2012810/n169042119.htm2012/8/10 11:43:37
采用的基片根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色led等gan类半导体材料的led芯片，则使用蓝宝石、sic和si等作为基片，如果是红色led等采
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/1/12/127074.html2011/1/12 17:16:00
本文对采用355nm和266nm波长激光在不同参数下切割蓝宝石衬底的效果进行比较,对如何取得好的切割效果和表面质量进行研究,实验结果表明266nm激光更加适合进行蓝宝石衬底的切割,
https://www.alighting.cn/resource/20110830/127230.htm2011/8/30 14:00:20
利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的gan单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的gan薄膜的 ( 0 0 0 2 )x射
https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24
采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表征
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
碳化硅(sic)是继第一代半导体材料和第二代半导体材料砷化镓(gaas)后发展起来的第三代半导体材料。
https://www.alighting.cn/resource/20110714/127426.htm2011/7/14 17:32:28
