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采用微区拉曼光谱对生长在湿法腐蚀获得的无掩膜周期性图形蓝宝石衬底上gan材料做了研究,结果显示,侧向外延生长区域具有较低的压应力。采用湿法腐蚀结合原子力显微镜对材料的位错进行了表
https://www.alighting.cn/resource/20110721/127408.htm2011/7/21 17:03:55
运用第一性原理平面波赝势和广义梯度近似方法，对纤锌矿结构和氯化钠结构gan的状态方程及其在高压下的相变进行计算研究，分析相变点附近的电子态密度、能带结构和光学性质的变化机制.
https://www.alighting.cn/resource/20150305/123531.htm2015/3/5 9:53:05
通过实验主要研究了it o 导电膜的退火对蓝光led 光电参数的影响, 发现经过ito退火工艺的芯片比没有it o 退火的芯片正向压降低0. 2 v 以上,亮度一致性更高, 这为提
https://www.alighting.cn/resource/20141011/124218.htm2014/10/11 10:18:16
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进行
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
在si基板上形成的led应该比蓝宝石基板led便宜得多。硅晶圆的价格一直低于蓝宝石晶圆，今后这一情况也仍将继续，因此使用硅基gan基板的削减成本的效果可立即表现出来。削减成本最有效
https://www.alighting.cn/2012/9/10 14:24:25
gan类功率半导体能否成为新一代功率半导体的主角？gan类功率元件的成本、电气特性以及周边技术方面存在的课题是如何解决的呢?
https://www.alighting.cn/resource/20110906/127189.htm2011/9/6 17:59:41
外延片的生产制作过程是非常复杂，展完外延片，接下来就在每张外延片随意抽取九点做测试，符合要求的就是良品，其它为不良品（电压偏差很大，波长偏短或偏长等）。
https://www.alighting.cn/resource/20110517/127604.htm2011/5/17 13:32:57
随着硅基板技术日渐成熟，由于成本以及电性考量，大厂开始尝试使用非蓝宝石基板技术来打造led。led业者认为，短期内硅基板led在规格及亮度表现仍显不足，与蓝宝石基板还是有落差，但若
https://www.alighting.cn/news/20121108/88977.htm2012/11/8 15:09:46
在经历了2010年“好日子“之后， 2011年不温不火的led市场反应使得全球led制造业并未出现预期的增长，并且由于产能快速扩充以及滞后的市场需求，全球led制造业产能利用率进入
https://www.alighting.cn/news/20120716/89215.htm2012/7/16 11:54:13
aixtron ag公司日前宣布，中国科学院长春光学精密机械与物理研究所（ciomp）订购了该公司两套mocvd系统，分别是aix 200/4和aix 200/4 rf-s。
https://www.alighting.cn/news/20090511/101732.htm2009/5/11 0:00:00
