站内搜索
本文系统研究了ni覆盖层厚度及退火温度对硅衬底gan基led薄膜p型欧姆接触的影响，在不需二次退火的情况下获得了高性能的p型欧姆接触层。
https://www.alighting.cn/resource/2013/9/3/175434_16.htm2013/9/3 17:54:34
近期，晶能光电宣布其硅衬底大功率led芯片系列已经通过了6,000小时的美国环保署认可的第三方ies lm80测试，公司现可根据需要提供lm80测试数据。
https://www.alighting.cn/news/20131016/n241757471.htm2013/10/16 8:58:15
tdi公司，复合氮化物半导体材料领先开发商和供应商，宣布推出世界首个氮化铟镓衬底材料。氮化铟镓是蓝，绿和白光led和蓝激光管生产的主要复合半导体材料。
https://www.alighting.cn/news/2007821/V8265.htm2007/8/21 11:29:42
strategies unlimited在日前最新发布的研究报告中指出，目前市场对蓝紫光激光二极管、uv led以及其他器件的需求日益增长，这将推动类似gan和aln等先进衬底市
https://www.alighting.cn/news/20090601/95276.htm2009/6/1 0:00:00
2007年4月24日，日立电线株式会社（hitachi cable）确认成功开发产制出直径3英寸的gan衬底，对于led产业将有正面助益。
https://www.alighting.cn/news/20070426/106320.htm2007/4/26 0:00:00
近日，tt electronics/optek technology公司开发出一种导热的铝制散热衬底，称为高导热optotherm ocb201系列，可用于可见光发光二极体（le
https://www.alighting.cn/news/20080318/107021.htm2008/3/18 0:00:00
2015年度国家科学技术发明一等奖正式揭晓，一直饱受争议的“硅衬底高光效gan基蓝色发光二极管”项目摘得了此桂冠。
https://www.alighting.cn/special/20160115/2016/1/14 17:35:22
针对倒装芯片(flipchip)大功率发光二极管器件，描述了大功率led器件的热阻特性，建立了flipchip衬底粘接材料的厚度和热导系数与粘接材料热阻的关系曲线，以三类典型粘
https://www.alighting.cn/resource/2009316/V782.htm2009/3/16 11:19:37
采用0.35μm双栅标准cmos工艺最新设计和制备了叉指型siled发光器件。器件结构采用n阱和p衬底结,n阱为叉指结构,嵌入到p衬底中而结合成sipn结led。观察了sile
https://www.alighting.cn/resource/20120312/126682.htm2012/3/12 10:46:52
氢化物气相外延(hvpe)是制备氮化镓(gan)衬底最有希望的方法.本文介绍了氮化镓材料的电学、光学性质及重要用途,总结了gan体单晶及薄膜材料制备方法,描述了氢化物气相外延技
https://www.alighting.cn/resource/20110913/127162.htm2011/9/13 9:04:57
