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广州w酒店:能抚平内心孤独的前卫情侣客房

yabu与pushelberg这对好友是殿堂级的设计师。纽约的w,东京丸之内的四季,就出自他们之手。相比大堂那令人惊艳的woobar,这些客房的设计显得相当克制,在专程来感

  https://www.alighting.cn/resource/2013/12/18/18531_97.htm2013/12/18 18:05:31

硅衬底ganled研究进展

由于硅具有价格低、热导率高、大直径单晶生长技术成熟等优势以及在光电集成方面的应用潜力,gan/si器件成为一个研究热点。然而, gan与si之间的热失配容易引起薄膜开裂这是限

  https://www.alighting.cn/resource/20131216/125001.htm2013/12/16 14:04:47

姜文(涌奇)申报2014阿拉丁神灯奖十大人物

4);一种有机硅光扩散粒子的制备方法及其应用(专利号:201310185113.9);高效率生产有机硅树脂微球的方法(专利号:201210226121.9),为国内首家有机硅树脂

  http://blog.alighting.cn/sdj/archive/2013/12/13/346130.html2013/12/13 14:30:31

个人简介及主要工作成果(参与2014神灯奖人物申报)

号:201210226121.9),为国内首家有机硅树脂光扩散粒子生产企业,2013年7月起,涌奇材料已成为国内最大的有机硅光扩散粒子生产商。拥有0.5um- 30um全系列产品生产能力及技术支

  http://blog.alighting.cn/200369/archive/2013/12/13/346127.html2013/12/13 14:10:47

激光剥离技术实现垂直结构ganled

为改善gan 发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将gan led 从蓝宝

  https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48

刻蚀深度对si衬底gan蓝光led性能的影响

在si衬底上生长了oanled外延材料,将其转移到新的硅板上,制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前,对尺寸

  https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38

ganled材料特性研究及芯片结构设计

本文在介绍了氮化镓材料的本结构特征及物理化学特性之后,从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。

  https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48

钱可元——2014年阿拉丁神灯奖提名委员个人简介

副秘书长;  联建光电有限公司独立董事。  获奖情况:  在led应用方面已经进行的研究包括:  于gan发光芯片的光提取效率问题;  非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系

  http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49

plessey推新一代硅氮化镓led光效可达64lm/w

英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅氮化镓led。型号为plw114050,目前正在出样,这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被

  https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29

led行业热点技术分析

到较高的良率。优势:通过mocvd技术在兰宝石衬底上生长ganled结构层,由p/n结髮光区发出的光透过上面的p型区射出。由于p型gan传导性能不佳,为获得良好的电流扩展,需要通

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/12/1/345357.html2013/12/1 18:56:56

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