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白光oled器件的新进展

在oled最新技术与应用分会上,来自暨南大学理学院的侯林涛副教授为我们讲述《白光oled器件的新进展》,详细内容见附件,欢迎下载学习!

  https://www.alighting.cn/resource/2012/11/2/145255_85.htm2012/11/2 14:52:55

聚碳酸酯器件简化led灯的设计

聚碳酸酯能为led漫射器、透镜、反射镜以及外罩等器件等带来特别的光学、热学以及机械性能拜耳公司的材料科学团队解释道。

  https://www.alighting.cn/2012/9/24 11:50:59

zumtobel在欧洲销售cree的 led照明器件

cree公司和zumtobel集团签署长期战略合作协议,授权zumtobel在欧洲市场销售cree的嵌入式筒灯。第一年销售目标为5万个230v的lr6器件

  https://www.alighting.cn/news/20081021/118210.htm2008/10/21 0:00:00

GaN led用sapphire基板介紹

量以光的形式激發釋出。自從1960年代利用gaasp液相外延技術生產出第一顆實用的紅光發光二極體,直到1993年日本日亞化學公司發展出氮化鎵(GaN)發光二極體,突破藍光發光二極體

  http://blog.alighting.cn/wenlinroom/archive/2010/5/27/46232.html2010/5/27 0:09:00

vishay推出多彩超亮0402 chip led封装产品

vlmx1500-gs08系列中的蓝色和白色led使用高效inGaN技术,大红、浅橙、黄色和嫩绿色器件使用最先进的allngap技术,使光输出提高了3倍。

  https://www.alighting.cn/pingce/20120820/122386.htm2012/8/20 9:56:17

浪潮华光获山东财政下拨的1000万专项资金

近日,山东浪潮华光光电子半导体照明用外延片、管芯、器件及应用研发和生产项目获得了山东省下达的2010年新能源产业发展专项资金1000万元人民币。

  https://www.alighting.cn/news/20110307/115718.htm2011/3/7 10:27:32

al_2o_3/si(001)衬底上GaN外延薄膜的制备

利用低压金属有机物化学气相沉积方法在al2 o3 /si( 0 0 1 )衬底上制备出了六方结构的GaN单晶薄膜 .厚度为 1 .1 μm的GaN薄膜的 ( 0 0 0 2 )

  https://www.alighting.cn/resource/20110815/127311.htm2011/8/15 17:59:24

通用照明电器配件 功率型led新器件

率型led器件的研发起始于上世纪九十年代中后期,超高亮度ingaaip红黄光与inGaN蓝绿光器件的研制成功与迅猛发展,为功率型器件的开发奠定了基础

  https://www.alighting.cn/resource/200728/V8777.htm2007/2/8 12:01:04

通用照明电器配件 功率型led新器件

率型led器件的研发起始于上世纪九十年代中后期,超高亮度ingaaip红黄光与inGaN蓝绿光器件的研制成功与迅猛发展,为功率型器件的开发奠定了基础

  https://www.alighting.cn/news/200728/V8777.htm2007/2/8 12:01:04

GaN基高压交流110v-led芯片——2019神灯奖申报技术

GaN基高压交流110v-led芯片,为湘能华磊光电股份有限公司2019神灯奖申报技术。

  https://www.alighting.cn/pingce/20190129/160228.htm2019/1/29 13:37:37

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