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号：201210226121.9)，为国内首家有机硅树脂基光扩散粒子生产企业，2013年7月起，涌奇材料已成为国内最大的有机硅光扩散粒子生产商。拥有0.5um- 30um全系列产品生产能力及技术支
http://blog.alighting.cn/200369/archive/2013/12/13/346127.html2013/12/13 14:10:47
为改善GaN 基发光二极管的电学特性和提高其输出光功率, 采用激光剥离技术, 在krf 准分子激光器脉冲激光能量密度为400mj/ cm2 的条件下, 将GaN 基led 从蓝宝
https://www.alighting.cn/2013/12/13 11:29:48
在si衬底上生长了oan基led外延材料，将其转移到新的硅基板上，制备了垂直结构蓝光led芯片。本文研究了这种芯片在不同n层刻蚀深度情况下的光电特性。在切割成单个芯片之前，对尺寸
https://www.alighting.cn/2013/12/12 11:53:38
本文在介绍了氮化镓材料的基本结构特征及物理化学特性之后，从氮化镓的外延结构的属性和氮化镓基高性能芯片设计两个方面对氮化镓材料和器件结构展开了讨论。
https://www.alighting.cn/resource/20131211/125017.htm2013/12/11 11:33:48
副秘书长; 联建光电有限公司独立董事。 获奖情况： 在led应用方面已经进行的研究包括： 基于GaN基发光芯片的光提取效率问题; 非成像光学理论在非点光源近似条件下光学系
http://blog.alighting.cn/qiankeyuan/archive/2013/12/9/345796.html2013/12/9 17:34:49
英国普莱思半导体(plessey)宣布推出新一代硅基氮化镓led。型号为plw114050，目前正在出样，这是plessey该系列中首款入门级led照明产品。plessey提供被
https://www.alighting.cn/pingce/20131203/121664.htm2013/12/3 12:01:29
到较高的良率。优势：通过mocvd技术在兰宝石衬底上生长GaN基led结构层，由p/n结髮光区发出的光透过上面的p型区射出。由于p型GaN传导性能不佳，为获得良好的电流扩展，需要通
http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/12/1/345357.html2013/12/1 18:56:56
美国公司soraa于21日宣布将与纽约州合作，在纽约州水牛城建立半导体制造工厂，并聘请数百名工人。新工厂准备用于制造最先进的GaN on GaN led产品，预计将在2015年投
https://www.alighting.cn/news/20131122/111369.htm2013/11/22 10:45:30
制造sic功率元件不可缺少的sic基片(晶圆)的品质在不断提升。不仅是目前主流的直径为4英寸(100mm)的产品，6英寸(150mm)产品的结晶缺陷也越来越少。
https://www.alighting.cn/news/20131119/111789.htm2013/11/19 13:43:50
著名的罗马大教堂的标志性作品将由led照明照亮，不仅提供较高的照度水平、减少60%能耗，还能同时保留历史的颜色。
https://www.alighting.cn/news/20131115/n177658268.htm2013/11/15 9:34:55
