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提高应变弛豫与非极化/半极化GaN技术

应用多项高端纳米技术改善mocvd生长在蓝宝石衬底上GaN晶体特性和光学性能,并因此从根本上大幅提高相关高亮led的发光效率。

  https://www.alighting.cn/2012/12/5 18:18:30

预测:2013年led产业发展五大趋势

内徘徊。为提升产品性能和毛利率,同鑫光电、东晶博蓝特、苏州海铂晶体、合肥晶桥、科瑞斯光电等大陆蓝宝石衬底厂商,加码投入图形化衬底(pattern sapphire substrat

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2012/12/4/302338.html2012/12/4 22:00:11

蓝宝石的未来出路:拓宽应用领域

资料统计,中国大陆蓝宝石厂家将近60家,如同大陆芯片厂一样,信心十足的市场预估,让众多商家涌入蓝宝石行业并大量扩产,而始料未及的市场挤压不得不让蓝宝石价格大幅缩水。

  https://www.alighting.cn/news/20121203/89054.htm2012/12/3 10:45:57

矽衬底led芯片产业现状探究

体公司研发GaN衬底的led同质外延技术,美国普瑞光电公司、欧司朗osram、韩国三星、日本东芝等众多公司在开发矽衬底GaN基led技

  https://www.alighting.cn/news/20121128/89354.htm2012/11/28 14:08:33

欧瑞达建议市民购买螺旋节能灯

料的变性、线路之间放电、晶体管的二次击穿等。安装、拆卸节能灯时务必不要手持灯管部位,以免其受力破裂。自行拆节能灯要注意,一是灯体上下两部分多为卡口而不是螺纹连接;二是出现启动故障的

  http://blog.alighting.cn/sunnysky/archive/2012/11/23/299784.html2012/11/23 11:01:45

提高led外量子效率

片技术、表面粗化技术、异形芯片技术、采用光子晶体结构等。此外还介绍了发光材料、能带结构以及工艺对外量子效率的影

  https://www.alighting.cn/resource/20121122/126286.htm2012/11/22 14:06:05

led芯片技术的发展

本文主要阐述了algainp led和GaN led芯片技术的研究发展情况及其led外部量子效率低的现状,介绍了改善电注入效率和提高芯片出光效率的几种方法,如芯片塑形、表面粗化

  https://www.alighting.cn/resource/2012/11/22/135022_85.htm2012/11/22 13:50:22

最雷人的wafer就在瑞新原厂8寸晶圆

可提供,封装形式有to-220/220f,to-251/252。正宗原厂台系ic,质量稳定,良率高。从ic设计到成品均自行设计生产。主营产品:mos管驱动,场效应晶体管,电压元件,大

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299426.html2012/11/21 14:09:44

创新产品:瑞新原厂8寸晶圆出售,良率高质量好

f,to-251/252。正宗原厂台系ic,质量稳定,良率高。从ic设计到成品均自行设计生产。主营产品:mos管驱动,场效应晶体管,电压元件,大功率mos管,晶体管元件,高压mos

  http://blog.alighting.cn/152441/archive/2012/11/21/299424.html2012/11/21 13:57:44

提高led外量子效率的研究进展

光剥离技术,纳米压印与su8胶相结合技术、光子晶体技术

  https://www.alighting.cn/resource/20121120/126288.htm2012/11/20 18:12:22

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