站内搜索
分析了脉冲激光作用下GaN的衬底剥离过程。利用简化的一维模型,给出一种比较直观的脉冲激光辐照下GaN/al2o3材料温度分布的解析形式,得到了分界面温度和脉冲宽度的关系。表明,
https://www.alighting.cn/resource/20130527/125565.htm2013/5/27 10:24:56
通俗来讲，led和半导体激光器等的发光部分的半导体层，是在基板上生长结晶而成。采用的基板根据led的发光波长不同而区分使用。如果是蓝色led和白色 led等GaN类半导体材
https://www.alighting.cn/resource/20130128/126108.htm2013/1/28 9:55:40
用GaN材料的蓝色led上组合使用tag（鋱、铝、石榴石）是萤光材料开发而成的白光led，应用在背光源以及紧急照明
https://www.alighting.cn/news/20101224/104527.htm2010/12/24 11:43:14
采用x光双晶衍射仪分析了GaN基发光二极管外延材料晶体结构质量并制成GaN-led芯片,对分组抽取特定区域芯片封装成的GaN-led器件进行可靠性试验。对比分析表明,外延晶片中的
https://www.alighting.cn/resource/20130325/125827.htm2013/3/25 10:51:55
使用熔融的koh在高温下对c面蓝宝石衬底进行不同时间的腐蚀,借助扫描电镜、原子力显微镜对衬底表面进行了表征,然后利用金属有机物化学气相沉积设备在不同腐蚀时间的衬底样品上进行了ga
https://www.alighting.cn/resource/20110722/127401.htm2011/7/22 15:10:39
光粉的白光发光二极管研究》的报告，通过例举学术界的多项研究，向与会者们深入浅出地详述了“GaN同质外延和竖直结构大功率led”的理论、技术与优势等相关各个方面的介
https://www.alighting.cn/news/20110611/109094.htm2011/6/11 14:38:05
将硅(si)衬底上外延生长的氮化镓(GaN)基led薄膜,通过电镀的方法转移到铜支撑基板、铜铬支撑基板以及通过压焊的方法转移到新的硅支撑基板,获得了垂直结构蓝光led器件,并对
https://www.alighting.cn/2013/4/7 17:06:00
蓝宝石衬底虽然受到来自si与GaN衬底的挑战，但是考虑到成本与良率，蓝宝石在近两年内仍然具有优势，可以预见接下来蓝宝石衬底的发展方向是大尺寸与图案化(pss)。由于蓝宝石硬度仅次
https://www.alighting.cn/resource/20121018/126325.htm2012/10/18 10:48:12
％。 2010年GaN mocvd的出货量 2010年第四季度，中国mocvd的采购量增加了一倍，数量比例从31％至64％，而韩国所占的数量比例从27％下降到只有5
http://blog.alighting.cn/李高/archive/2011/7/11/229448.html2011/7/11 21:43:00
近几年人们制造led晶粒/芯片过程中首先在衬底上制作氮化镓（GaN）基的晶圆(外延片)，晶圆所需的材料源(碳化硅sic)和各种高纯的气体如氢气h2或氩气ar等惰性气体作为载体之
https://www.alighting.cn/news/20091014/V21194.htm2009/10/14 21:04:09
