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势消失。所以说，一切都是达不到照明市场要求的led技术惹得祸。 led的发光效率分为内、外量子效率，对于内量子效率基本可达80%甚至90%，而外量子效率由于无法有效放出光子，
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268362.html2012/3/15 21:57:31
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271150.html2012/4/10 20:57:48
http://blog.alighting.cn/asdfeddc/archive/2012/6/20/279489.html2012/6/20 23:06:25
http://blog.alighting.cn/146439/archive/2012/7/19/282421.html2012/7/19 10:23:15
1991年，日亚公司研制成功同质结gan基蓝光led，峰值波长430nm，光谱半宽55rim，其光输出功率为当时市场上sicled的10倍，外量子效率约为0．18％。 1995
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/2/4/263597.html2012/2/4 14:50:22
【led幕墙屏】近几年来led技术发展迅速，衬底、外延及芯片核心技术取得了突破性进展。pss衬底、非极性、半极性衬底、芯片新结构、外延新技术等，均为提高led【led窗帘屏】内量
http://blog.alighting.cn/188279/archive/2013/8/7/322937.html2013/8/7 9:30:39
等。 3. 荧光粉在封装中的应用 封装之前除了需确定封装结构外，还需选择好芯片和荧光粉。对于高色温的冷白光led通常选用InGaN芯片配合yag:ce黄色荧光粉，获得低色温的暖
http://blog.alighting.cn/sunfor/archive/2010/7/27/58017.html2010/7/27 11:36:00
延材料是氮化铟镓(InGaN)。发射波长的范围为450nm至 470nm,氮化铟镓led可以产生五倍于氮化镓led的光强。白光led真正发射白光的led是不存在的。这样的器件非常难
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229889.html2011/7/17 23:00:00
产技术是InGaN，但此技术仍有一些瓶颈需要克服，目前掌握前瞻技术的业者纷纷针对这些瓶颈提出新的解决方案，希望能进一步拓展hb led的市场。这些瓶颈中以静电释
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232808.html2011/8/19 0:16:00
为ingaaip)。通过这两种主要技术可以实现不同的颜色。施加1.8v-2.3v左右的正向电压，alingap可发出从绿色(570nm)到血红色(632nm)的光线。InGaN用来发出
http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/20/233133.html2011/8/20 0:08:00
