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与led的色彩没有关?s。单管的发光强度从几个mcd到5000mcd不等。led生?a厂商所给出的发光强度指led在20ma电流下点亮,最佳视角上及中心位置上发光强度最大的点。封
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229921.html2011/7/17 23:17:00
薄膜型电致发光显示器(thin-film electroluminescent display)开发于20世纪80年代初,它最初是作为单色无源lcd显示器的高性能替代物而开
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229938.html2011/7/17 23:25:00
后,将方向的晶种渐渐注入液中,接着将晶种往上拉升,并使直径缩小到一定(约6mm),维持此直径并拉长10-20cm,以消除晶种内的排差(dislocation),此种零排
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229946.html2011/7/17 23:29:00
幅提升。首先是强化光转效率,这也是最根源之道,现有led的每瓦用电中,仅有15％20％被转化成光能,其余都被转化成热能并消散掉(废热),而提升此一转换效率的重点就在p-n接面(p-
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229962.html2011/7/17 23:37:00
光管) 4.0~220 5~7,000 发热严重面状光源 vfd(扁平荧光灯) 200mw/cm2以下 5,000 亮度高、均匀性好 双电源驱动el(电致发光片) 20mw/cm
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229972.html2011/7/17 23:42:00
f的大小,与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20ma左右。d、逆向电压(vr)：施加在晶片上的反向电压。e、逆向电流(ir)：是指晶片在施加反向电压后,所产生的一个漏电
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230084.html2011/7/18 23:24:00
i衬底上生长gan单晶,首先在1150℃生长aln缓冲层,而后生长gan结晶。生长该材料的典型条件如下：nh3：3l/mintmga：20μmol/minv/ⅲ=6500n2：3～
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230091.html2011/7/18 23:39:00
常稳定地工作,所以各类低气压放电荧光灯调光范围一般只能在20%～100%范围,并且随着灯功率的下降,系统效率也明显下降,而且一般还不能保证小功率输出时不损害灯的寿命。 2、各类高
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230101.html2011/7/18 23:46:00
定了电路中电感的大小，大的频率可以使用较小的电感，但这会增加电路的损耗。典型的频率应在20～150khz左右，欧洲的电压是230v，可以用较小的频率；北美的电压是120v，因此选
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230162.html2011/7/19 0:19:00
=20ma@ vf=3.5v），而当系统的负载突然增大时，就会造成电池电压波动，因此直接使用锂电池驱动白光led就会发生暗屏或闪屏等不正常现象。解决这个问题的方法是在锂电池和白
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