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设法减少热阻抗、改善散热问题

述结构的LED芯片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统LED的1/6左右,封装后的LED施加2w的电力时,LED芯片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到50

  http://blog.alighting.cn/beebee/archive/2011/3/17/143402.html2011/3/17 21:38:00

设法减少热阻抗、改善散热问题

述结构的LED芯片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统LED的1/6左右,封装后的LED施加2w的电力时,LED芯片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到50

  http://blog.alighting.cn/moonvia/archive/2011/4/19/166238.html2011/4/19 22:28:00

设法减少热阻抗、改善散热问题

述结构的LED芯片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统LED的1/6左右,封装后的LED施加2w的电力时,LED芯片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到50

  http://blog.alighting.cn/moonvia/archive/2011/4/19/166240.html2011/4/19 22:30:00

设法减少热阻抗、改善散热问题

述结构的LED芯片到焊接点的热阻抗可以降低9k/w,大约是传统LED的1/6左右,封装后的LED施加2w的电力时,LED芯片的接合温度比焊接点高18k,即使印刷电路板温度上升到50

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261358.html2012/1/8 20:21:39

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用LED,以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文

  https://www.alighting.cn/resource/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

氮化物衬底材料与半导体照明的应用

质外延衬底的研制对发展自主知识产权的氮化物半导体激光器、大功率高亮度半导体照明用LED,以及高功率微波器件等是很重要的。“氮化物衬底材料的评价因素及研究与开发”文

  https://www.alighting.cn/news/2007528/V12585.htm2007/5/28 10:39:07

沈川推荐外滩黄浦8号参与2015阿拉丁神灯奖工程类评选

使两者结合,产生项目本身效果最佳,同时大大降低了电费的开支,节能效果良好。采用高功率贴片灯具,增加一体式透镜改变灯具角度,提高灯具亮度,以及控光效果,避免灌胶产生灯具色差,整栋效

  http://blog.alighting.cn/shenchuan/archive/2015/1/21/364881.html2015/1/21 15:13:37

[原创]LED通电发光电路

d负载三部分组成。所述电源是世界通用的110~240伏市电电源;所述电源开关是过零型电源开关;所述LED负载是根据不同的使用要求选用不同功率、不同数量的LED采用串、并联组合而成。

  http://blog.alighting.cn/lhj303/archive/2011/4/1/146089.html2011/4/1 17:26:00

细数LED生产中的静电问题

. 分光分色,这里是静电产生相对较大的工序,在分光机里振荡分色时,能产生高至七八千伏的静电压(本人在长裕现场测试过,现在长裕分光机上用的就是我们的产 品).现有一些分光机,分光时的电

  http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/17/229902.html2011/7/17 23:06:00

深度探讨:LED封装产业全面透视

LED产业链总体分为上、中、下游,分别是LED外延芯片、LED封装及LED应用。作为LED产业链中承上启下的LED封装产业,在整个产业链中起着无可比拟的重要作用。

  https://www.alighting.cn/news/2010917/V25252.htm2010/9/17 10:23:35

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