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、四个led芯片，可用于组装照明产品。模组封装也是一种多芯片封装，在氧化铝或氮化铝基板上以较小的尺寸、高的封装密度封装几十个或几百个led芯片，内部的联线是混联型式，即有多个芯
http://blog.alighting.cn/108092/archive/2012/3/17/268593.html2012/3/17 13:37:48
正申请iso14001安全与环境协议认证，将针对高亮度led（hbled）的需求上升，大幅增加其制程所使用的三甲基镓（tmg）、三乙基镓（teg）和叁甲基铟（tmi）的产
https://www.alighting.cn/news/20120316/113753.htm2012/3/16 14:41:15
位为电子伏特（ｅｖ），例如砷化镓ｅｇ＝１．４３ｅｖ，峰值在近红外区，而磷化镓ｅｇ＝２．２６ｅｖ，发光峰值在绿区，对于ｇａａｓ等半导体材料或它们的组合晶体ｇａａｓｐ，其禁带宽度对
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268498.html2012/3/16 14:14:52
色化。氮化镓基底的蓝色ｌｅｄ的出现，更是扩展了ｌｅｄ的应用领域。 ｌｅｄ的发光原理就是将电能转换为光的过程，将电流通过化合物半导体，通过电子与空穴的结合，过剩的能量将以光的形式释
http://blog.alighting.cn/117400/archive/2012/3/16/268453.html2012/3/16 13:14:20
构从事氮化镓基蓝绿led的材料生长、器件工艺和相关设备制造的研究和开发工作。其中处于世界领先水平的主要有：日本的nichia；美国的lumileds、gree；德国的osram等。这
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268378.html2012/3/15 21:58:25
掉原来用于生长外延层的衬底，然后将外延层键合转移倒导电和导热性能良好热导率大的衬底上，如铜、铝、金锡合金、氮化铝等。键合可用合金焊料如ausn、pbsn、in等来完成。si的热导率
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37
以提高发光效率。三、是采用异质基板如硅基板成长氮化鎵led磊晶层，优点是散热好、易加工。制造垂直结构led芯片有两种基本方法：剥离生长衬底和不剥离生长衬底 。其中生长在砷化鎵生长衬
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268356.html2012/3/15 21:57:13
源，持续稳定支持基础研发，突破未来的白光普通照明核心技术，建立长效机制与创新的环境与氛围，在下一轮竞争中占据主导地位。要紧紧跟踪gan(氮化镓)材料与器件的研究，实现重大装备国产
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268345.html2012/3/15 21:56:42
极接点散失之效能。因此，近年来，国内 外大厂无不朝向解决此问题而努力。其解决方式有二，其一为寻找高散热系数之基板材料 ，以取代氧化铝，包含了矽基板、碳化矽基板、阳极化铝基板或氮化铝基
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268095.html2012/3/15 21:16:50
http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268092.html2012/3/15 21:16:38
