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我国办公建筑照明设计节能指标的研究制定

摘要: 我国新修订的《国家建筑照明设计标准》(gb50034-2004)于2004年12月正式实施,该标准首次新增了照明节能设计与管理的技术条款,采用照明功率密度(lpd)指

  http://blog.alighting.cn/1313/archive/2007/11/26/8127.html2007/11/26 19:28:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/magicc/archive/2011/8/19/232804.html2011/8/19 0:06:00

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2011/12/19/258586.html2011/12/19 11:01:38

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261482.html2012/1/8 21:45:35

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262654.html2012/1/29 0:35:55

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271756.html2012/4/10 23:31:25

芯片大小和电极位置对gan基led特性的影响

与尺寸大小关系不大,但与电极的位置有关,p焊线电极远离n电极的芯片20ma下的光输出功率,正向压降也。  关键词:gan基led;i-v特性;p-i特性;  gan基半导体材料近

  http://blog.alighting.cn/nomonomo/archive/2012/5/16/274765.html2012/5/16 21:30:35

功率led散热将更多地采用主动冷却方案

热。因为功率大,所需散的热量也大,而且在露天面临各种炎热暴晒天气,增加了散热的难度。剧场的亮度聚光灯也是难点之一。另外,功率par38灯由于体积小、功率大,要求无电磁干扰也增

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/12/4/256727.html2011/12/4 18:28:58

lpd限值及对照明节能的意义

摘 要:本文叙述了照明设计标准制订的“照明功率密度(lpd)” 值. 它是从宏观上规定的评价照明节能的一项指标,是最大允许限值。设计中应从节约能源、保护环境的大局出发.采取措施选

  http://blog.alighting.cn/1327/archive/2010/7/21/56931.html2010/7/21 10:21:00

led开关电源设计参数分析

源的功率密度,使之小型化、轻量化,是人们不断追求的目标.这对便携式电子设备(如移动电话,数字相机等)尤为重要.使开关电源小型化的具体办法有以下几种. 一是频化.为了实现电源功率

  http://blog.alighting.cn/leddlm/archive/2011/9/5/235078.html2011/9/5 22:45:54

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