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及2个Nmos管s4、s6组成，如图4所示。以p管s1和N管s4为例，计算开关管的宽长比。根据版图设计规则的要求，单个管子的宽长比w／l可以设定为2.8μm／0.6μm。假设s1的
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230304.html2011/7/19 23:55:00
及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于led。 led的核心发光部分是由p型和N型半导体构成的pN结管芯，当注入pN结的少数载流子与多数载流子复合时，就会发出可见光，紫外光或近红
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230169.html2011/7/19 0:23:00
源和所需效能也会影响连接方案的选择。led的连接一般分为三种主要结构，即串联、并联(共阳极、共阴极、共阳极与共阴极)，以及串、并混联(2个led串联、N个led串联)1. 串联图
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230158.html2011/7/19 0:15:00
拟输入电压。微控制器采用 charlieplexiNg的方法（这是一种用i/o口线驱动多达N×(N-1)个led的方法），只用５个i/o口就可以驱动20个 led（参考文献2 ~
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230155.html2011/7/19 0:14:00
d正向电流的办法与精准性，需要车用电池组与充电系统以及串联限制电阻器。在调节led工作电流时创新使用标准N型沟道耗尽型晶体管(jfet)比使用电阻能获得更好的效果。jfet可以被看
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/19/230154.html2011/7/19 0:13:00
器芯片。它的控制模式是在pfm基础上改进的pfm/pwm控制技术，是pfm与pwm有机结合的控制方式（不是pfm与pwm的切换），是以输入电压确定N开关管开启时间，输出电压与输入电
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+”笔接被测发光管的负极(N区)。两块万用表均置×10ω挡。正常情况下,接通后就能正常发光。若亮度很低,甚至不发光,可将两块万用表均拨至×1ω若,若仍很暗,甚至不发光,则说明该发
http://blog.alighting.cn/q89481240/archive/2011/7/18/230125.html2011/7/18 23:58:00
加正向工作电压vd时,驱使价带中的空穴穿过pN结进入N型区、同时驱动导带中的电子越过pN结进入p型区,在结的附近多余的载流子会发生复合,在复合过程中发光、从而把电能转换为光能。
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N,可用于这些质量不高的gaN晶体的缺陷检测。gaN在hcl或h2气下,在高温下呈现不稳定特性,而在N2气下最为稳定。2.2gaN的结构特性表1列出了纤锌矿gaN和闪锌矿gaN的特
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体,常温下的电阻率大于1011ω?;cm,在这种情况下无法制作垂直结构的器件；通常只在外延层上表面制作N型和p型电极(如图1所示)。在上表面制作两个电极,造成了有效发光面积减少,同
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