剖析：功率型白光led封装技术、荧光粉技术发展趋势

研究标明，随着温度下降，荧光粉量子效能升高，荧光粉在led封装中的感化在于光色复合。出光减少，辐射波长也会发生变化，从而引起白光led色温、色度的转变，较高的温度还会加速荧光

  https://www.alighting.cn/resource/20110513/127621.htm2011/5/13 10:37:51

三星获evident授权使用量子点led专利技术

  https://www.alighting.cn/news/20110510/115549.htm2011/5/10 14:42:49

evident授权三星使用其量子点led专利技术

  https://www.alighting.cn/news/20110509/100508.htm2011/5/9 11:02:19

非极性和半极性面氮化物材料和器件生长

长的厚膜InGaN材料,在zno衬底上生长的厚膜InGaN材料

  https://www.alighting.cn/resource/2011/5/6/182815_98.htm2011/5/6 18:28:15

高亮度led之“封装热导”原理技术

过去led只能拿来做为状态指示灯的时代，其封装散热从来就不是问题，但近年来led的亮度、功率皆积极提升，并开始用于背光与电子照明等应用后，led的封装散热问题已悄然浮现。

  https://www.alighting.cn/resource/20110504/127670.htm2011/5/4 13:57:03

非直接俄歇效应是氮化物基led光效下降主因

多争论， 但是加利福尼亚大学圣巴巴拉分校的研究者们说他们利用量子机械计算方法找到了这个现象的形成机制。 　　他们总结到，led光衰(led droop)是由俄歇复合(auge

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2011/5/1/167917.html2011/5/1 23:15:00

生长温度对InGaN/gan多量子阱led光学特性的影响

性的影响。结果表明当生长温度从730℃升到800℃时,led的光致发光波长从490 nm移到380 nm,室温下pl谱发光峰的半高全宽从133 mev降到73 mev,表明了量子阱结晶

  https://www.alighting.cn/resource/20110425/127697.htm2011/4/25 11:47:08

led的发展历程

镓（InGaN），发射波长的范围为450nm 至470nm，氮化铟镓led 可以产生五倍于氮化镓led 的光强。超亮度蓝光芯片是白光led 的核心，在这个发光芯片上抹上荧光磷，然后荧光

  http://blog.alighting.cn/biqeeen/archive/2011/4/14/165437.html2011/4/14 22:03:00

[转载]led产品的几种封装形式

此，并不是管芯产生的所有光都可以释放出来，这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料，应用要求提高led的内、外部量子效率。常规φ5mm型led封装是将边长

  http://blog.alighting.cn/szwdkgroup/archive/2011/4/12/165017.html2011/4/12 10:07:00

问天量子推出新型led保护芯片（型号l11）

安徽问天量子科技股份有限公司 自主设计的新型led保护芯片（型号l11），具有单颗led损坏引起开路时能自动接通从而避免整灯不亮的功能；同时还具有静电保护功能，防止led被静电击

  https://www.alighting.cn/pingce/20110408/123268.htm2011/4/8 14:01:28