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利用x射线双晶多功能四圆衍射仪,对在si( 0 0 1 )衬底上使用常压化学气相方法 (apcvd)生长的3c SiC进行了微孪晶的分析.φ扫描证明了3c SiC外延生长于si衬
https://www.alighting.cn/2011/10/17 13:36:15
rojana工业园位于泰国首都曼谷以北约70公里，安森美半导体的三洋半导体分部目前在这工业园的运营包括晶圆针测(wafer probe)、封装及测试。初期报告显示这些设施因洪灾
https://www.alighting.cn/news/20111013/114666.htm2011/10/13 18:34:45
“我们的看法是，今年半导体市场会表现持平，或是最多有5%的成长；”icinsights总裁billmcclean指出，晶片产业的大趋势就是整并：“当我们进入18寸晶圆时代，全球i
https://www.alighting.cn/news/20111010/90067.htm2011/10/10 11:24:26
此前，氮化镓只能用于(111)-硅上，而目前广泛使用的由硅制成的互补性金属氧化半导体(cmos)芯片一般在(100)-硅或(110)-硅晶圆上制成。这表明，新晶体管能同由(11
https://www.alighting.cn/news/20111009/100275.htm2011/10/9 10:09:29
对国内半导体产业而言，1h11面临终端需求疲弱外，美元转弱，新台币大幅升值，以出口为导向的台湾半导体厂在毛利率及获利上均面临极大的压力。展望2h11半导体产业概况：3q11半导体产
https://www.alighting.cn/news/20110928/89983.htm2011/9/28 15:11:35
这项研究对来自gt asf和其他三家蓝宝石供货商的25件核心样品进行了评估。为了获得公正的数据，gt与一家独立的领先晶圆制造商进行了合作，提供了盲型、没有标志的材料来源。采集的重
https://www.alighting.cn/news/20110928/115971.htm2011/9/28 10:09:51
日本京都大学副教授须田淳等的研究小组在SiC国际会议“icscrm 2011”上公布了正在研发的SiC制bjt(bipolar junction transistor)的最新成
https://www.alighting.cn/news/20110921/100105.htm2011/9/21 9:52:49
很多SiC基板厂商已转向开发6英寸产品。口径增至6英寸，虽然能够提高SiC制功率元件的生产效率，但结晶缺陷增加会导致成品率降低。因此，能否在保持现行4英寸产品的结晶品质下实现6英
https://www.alighting.cn/news/20110921/100107.htm2011/9/21 9:27:56
一家隐身在土城、员工数不到两百人的小堡厂，靠着制作机台与塑胶盒子等，竟然能创造出将近50%的毛利率，还跃上世界舞台，成为台湾唯一一家18英寸晶圆光罩国际标准规格制定者! 2011
https://www.alighting.cn/news/20110919/114599.htm2011/9/19 9:29:39
评测SiC等大电流功率模块封装材料的产学合作项目“kamome-pj”有两大目的：一是试制水冷式SiC功率模块。据介绍，采用由康奈可(calsonic kansei)设计的铝压
https://www.alighting.cn/news/20110914/100259.htm2011/9/14 10:31:46
