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氧气压强对pld制备mgZnO薄膜光学性质的影响

使用准分子脉冲激光沉积(pld)方法在si(100)片上制备了高度c轴取向的mgZnO薄膜。分别使用sem、xrd、xps、pl谱和吸收谱表征了薄膜的形貌、结构、成分和光学性

  https://www.alighting.cn/2013/5/23 10:57:11

led补助风再起,业者积极抢进植物照明工厂

与环境控制特性的植物工厂,成为近年来各大厂亟欲切进的利型市场,结合led照明将可让农作物、植物或花卉的收成期缩短,加上适当地环境控制,不但可以预防虫害,并且免于使用农药或减少农药使

  http://blog.alighting.cn/xyz8888888/archive/2013/5/22/317770.html2013/5/22 17:04:11

管型元led的研究

该文阐述对一种采用微晶芯片制成的管型元led的研究,这种管型元led结构是将n个≤25μm×25μm的芯片贴装在透光导热良好的片上,通过串并联后再与梳篦状结构的导电和导

  https://www.alighting.cn/2013/5/21 10:26:12

散热技术日趋严苛 无封装led将面世

除了从系统角度强化散热性能外,随着led照明的应用普及,对于散热板的要求日趋严苛,led板材料及技术在近年的开发也有所进展,目前最新的趋势是对于硅氮化

  https://www.alighting.cn/news/2013520/n872051857.htm2013/5/20 10:16:28

金属-n型氧化锌纳米薄膜接触特性的研究

ZnO作为一种宽带隙半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37ev,具有优良的光学和电学性质,广泛应用于紫外探测、短波长激光器、透明导电薄膜等领域。为了提高ZnO半导体器件的性能,必

  https://www.alighting.cn/2013/5/20 10:05:56

散热技术精益求精 无封装led将现身

本上,由于蓝宝石板面临技术瓶颈,led厂商正积极寻找新的板材料,而硅氮化镓可减少热膨胀差异系数,不仅能强化led发光强度,更可以大幅降低制造成本、提高散热表现,因此成

  https://www.alighting.cn/news/20130520/88400.htm2013/5/20 9:16:28

采用mocvd方法在gaas衬底上生长ZnOZnO薄膜

采用金属有机化学汽相沉积生长法(mocvd),在不同的衬底表面处理条件和生长温度下,在gaas衬底上生长出了ZnO薄膜。随着化学腐蚀条件的不同,可生长出优先定位不同的ZnO(10

  https://www.alighting.cn/resource/20130516/125599.htm2013/5/16 10:31:08

习总书记接见光为照明周檀煜等青年创业奖代表

先想到的是肯德、麦当劳,光为也要成为l

  http://blog.alighting.cn/174570/archive/2013/5/16/317273.html2013/5/16 9:59:30

生长温度对si衬底ZnO薄膜结构的影响

通过脉冲激光沉积方法在1.3pa氧氛围,100-500℃衬底温度,si(111)衬底上成功地制备了ZnO薄膜,我们用x射线衍射(xrd)谱,原子力显微镜(afm),透射电镜(te

  https://www.alighting.cn/resource/20130515/125605.htm2013/5/15 11:28:09

致阿拉丁神灯奖主办方暨评委的一封公开信

响。2012年12月,“硅衬底氮化镓led材料及大功率器件”荣获2012年国家工信部信息产业重大技术发明,这是国家对硅衬底led技术的高度肯定与支持。同时,晶能光电实现硅衬底大功率le

  http://blog.alighting.cn/wangmin/archive/2013/5/15/317208.html2013/5/15 10:08:53

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