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观呈褐色，但与lEd接触的部分可能发生了变化。进一步研究发现，环境温度为95℃，驱动电流大于等于40ma时，结温超过了145℃，非常接近塑料变色的温度；当驱动电流小于30ma时，结
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120548.html2010/12/13 23:04:00
常小巧的整体解决方案尺寸使其非常适合移动手持终端与便携式背景照明应用。 该器件的工作温度 tj 规定在 -40°c ～ +85°c的整个范围内。 具备 2% lEd 到 lE
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120545.html2010/12/13 23:03:00
t1272两个产品的额定工作温度范围是-40oc到+85oc，采用3x3-mm、14管脚的tdfn封装。aat1271和aat1272订货量为1000片时每片单价为1.49美
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120536.html2010/12/13 23:00:00
与citizEn使？袢√岣呓雍系闳菪砦露龋？德国osram公司则是将lEd晶片设在散热？？片表面，达成9k/w超低热阻抗记录，该记录比osram过去开发同级品的热阻抗减少40%,值
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120527.html2010/12/13 22:56:00
冶炭纳米科技公司展现纳米研发实力，推出纳米导热胶专利产品，其导热能力比起一般传统导热胶效率提升了40％以上；冶炭纳米导热胶最大特色在于不导电、抗氧化、不变形等特性，可提供长期稳
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120524.html2010/12/13 22:54:00
使材料利用率降低、成本增加。由于p型gan掺杂困难，当前普遍采用在p型gan上制备金属透明电极的方法，使电流扩散，以达到均匀发光的目的。但是金属透明电极一般要吸收约30%~40%的
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120513.html2010/12/13 22:48:00
过芯片（chip）本身的半导体介质和封装介质才能抵达外界（空气）。综合电流注入效率、辐射发光量子效率、芯片外部光取出效率等，最终大概只有30-40％的输入电能转化为光能，其余60
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120510.html2010/12/13 22:47:00
灯，同类负载太集中，会对电网产生较严重的污染。对于30瓦~40瓦的lEd驱动电源，据说不久的将来，也许会对功率因素方面有一定的指标要求。 4．驱动方式 现在通行的有两种：其
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120509.html2010/12/13 22:45:00
定；试验温度在40℃、相对湿度为95%r.h.的条件下进行,试验 时间各为96±2小时。 6.2.3.1恒定湿热试验 按gb/t2423.3的规定进行。 6.2.3.1.
http://blog.alighting.cn/wasabi/archive/2010/12/13/120496.html2010/12/13 22:33:00
节。 5.2环境条件 5.2.1产品在温度-25℃～40℃范围内能可靠的工作。 5.2.2产品在温度-40℃～85℃范围内能可靠存储。 5.2.3产品在相对湿度≤9
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