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係。单管的发光强度从几个mcd到5000mcd不等。led生產厂商所给出的发光强度指led在20ma电流下点亮，最佳视角上及中心位置上发光强度最大的点。封装led时顶部透镜的形状和le
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271770.html2012/4/10 23:32:26
可保护发光管不受损坏。其较高的恒定电流准确性可以有效延长发光管的寿命，同时其tqfp100封装也可使驱动板面积大为减少。tlc5902的主要特征如下： ●具有80ma%26;#21
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进参考。1.)led芯片&封装组件发光效率关键技术指针：首要之led芯片&封装组件关键技术美、日厂商均已量产突破发光效率100~120 lm/w以上，超越传统最高效
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t）的进阶封装方式，以有效发挥led的照明效益。高亮度led（high-brightness light emitting diodes；hb led）的出现，在照明产业中掀起了一股狂
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2倍依次提高输出电压。实现1.33倍升压的常规方法需要增加器件引脚和外部元件的数量，相应地，需要更多引脚的封装和更大面积的印刷电路板空间，这使整个解决方案的成本远高于只有三种运行模
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271757.html2012/4/10 23:31:30
关重要。一般来说，led的人体静电模式测试失效电压不应低于2000v。3、 衰减特性 红、绿、蓝led均具有随着工作时间的增加而亮度衰减的特性。led芯片的优劣、辅助物料的好坏及封
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余80至85%则转换成热，若这些热未适时排出至外界，那么将会使led晶粒界面温度过高而影响发光效率及发光寿命。 led发展 散热是关键 随着led材料及封装技术的不断演进，促使le
http://blog.alighting.cn/ciesawa/archive/2012/4/10/271747.html2012/4/10 23:30:49
足实用化的要求，但技术的优势还没有发挥出来，在材料、彩色化、大尺寸、柔软显示 ic 、封装和生产工艺等方面都还有改进的余地。从长远来看， oled 未来的发展将沿着小尺寸、中尺寸、
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善发光效率，以及发光特性均等化。 有关温升问题具体方法是降低封装的热阻抗；维持 led 的使用寿命具体方法，是改善芯片外形、采用小型芯片；改善 led 的发光效率具体方法是改善芯
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