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led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51

led路灯:如何走好下一步?(二)

幅下降,但总成本还是偏高,如120w led路灯约需3000元左右,而被替代的250w高压钠灯约1000元左右,这是制约led照明灯大面积推广的重要因素。   国内led路灯

  http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261894.html2012/1/8 22:44:09

功率型led封装技术的关键工艺分析

d封装结构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262626.html2012/1/29 0:34:17

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262764.html2012/1/29 0:43:37

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/121509/archive/2012/1/29/262769.html2012/1/29 0:43:56

新春感谢信

五”规划的开局之年,伴随着稀土价格的疯涨,三基色荧光粉也跟着狂涨——从一月250元/公斤涨到9月近3000元/公斤,荧光粉价格的持续攀升致使节能灯产品的生产成本也随之成倍提高,我公

  http://blog.alighting.cn/chichangming/archive/2012/2/1/263451.html2012/2/1 14:57:59

2012年led灯价格预计下降20—30%

一颗节能灯泡的价格大概是20-30美元左右,现在已降到2-3美金。现在的led照明灯泡可能也会走差不多的一条路,现在led节能灯泡得价格已从最初的50美金左右降到现在不到20美

  http://blog.alighting.cn/87771/archive/2012/2/13/263998.html2012/2/13 10:27:30

提高取光效率降热阻功率型led封装技术

构,一般是用导电或非导电胶将芯片装在小尺寸的反射杯中或载片台上,由金丝完成器件的内外连接后用环氧树脂封装而成,其热阻高达250℃/w~300℃/w,新的功率型芯片若采用传统式的led封

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268359.html2012/3/15 21:57:22

led芯片的技术发展状况

0 nm的输出光功率分别为250 mw和150 mw。3)倒装芯片技术  algainn基二极管外延片一般是生长在绝缘的蓝宝石衬底上,欧姆接触的p电极和n电极只能制备在外延表面的同一

  http://blog.alighting.cn/zhiyan/archive/2012/3/15/268364.html2012/3/15 21:57:37

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