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本文研究了两组不同晶体质量的gan外延片在koh溶液中腐蚀后的表面形貌。实验发现腐蚀后出现了六角腐蚀坑,腐蚀坑的密度随腐蚀时间延长而增加,说明gan外延生长过程中位错密度是逐渐降
https://www.alighting.cn/2013/1/17 15:18:08
研究了不同能量的电子束辐照对gan基发光二极管(light emitting diode,led)发光性能的影响。利用实验室提供的电子束模拟空间电子辐射,对gan基led外延片进
https://www.alighting.cn/2012/9/18 19:09:14
客运中心所处的六号码头，在一片碧海的包围之中，具有结合游艇功能开发休闲娱乐公园的先天优势。加上商业和景观配套，以及固定展区和出入境大厅增设的临时展区，客运中心的功能多样性为城市滨
https://www.alighting.cn/case/20171114/43797.htm2017/11/14 9:53:45
”景区的空白，开启了湖南水文化名
https://www.alighting.cn/case/20171212/43855.htm2017/12/12 15:33:21
硅上氮化镓(gan)led的优点是不必受应力的影响，一定量的应力阻碍了输出功率。英国一个研究小组通过原位工具监测温度和晶片曲率，制备出低位错密度的扁平型150mm外延片，并将这
https://www.alighting.cn/2011/11/1 11:53:19
率led产品正常工作。大功率led基板与散热片连接时建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂（导热硅脂导热系数≥3.0w/m.k），导热硅脂要求涂敷均匀、适量，再用螺丝压合固
http://blog.alighting.cn/superdz/archive/2010/3/31/39165.html2010/3/31 10:38:00
lg伊诺特近期宣布，已经在韩国坡州建成了世界最大的单一led制造基地，该基地安装了超过10,000盏led灯具，生产产品涵盖led外延片生长、led模块制造的led生产各个环节。
https://www.alighting.cn/news/2011728/n380233423.htm2011/7/28 8:46:59
采用射频反应磁控溅射方法,在si(100)和石英基片上使用双靶溅射的方法制备了cu掺杂zno薄膜。利用x射线衍射、透射光谱和光致发光光谱分析了薄膜的晶体结构及光学性质,并与密度泛
https://www.alighting.cn/resource/20110916/127133.htm2011/9/16 14:44:13
功率led产品正常工作。大功率led基板与散热片连接时建议在led基板底部或散热片表面涂敷一层导热硅脂（导热硅脂导热系数≥3.0w/m.k），导热硅脂要求涂敷均匀、适量，再用螺丝压
http://blog.alighting.cn/superdz/archive/2010/3/31/39207.html2010/3/31 17:06:00
该半导体照明产业园由金沙江创业投资基金(gsr ventures)投资设立，现有外延片芯片、led灯泡和研发中心三个项目，分别由晶能光电(江西)有限公司、sunsun ligh
https://www.alighting.cn/news/2011317/n685530750.htm2011/3/17 18:25:27
