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d芯片，低热阻、散热良好及低应力的新的封装结构是功率型led器件的技术关键。可采用低阻率、高导热性能的材料粘结芯片;在芯片下部加铜或铝质热沉，并采用半包封结构，加速散热;甚至设计二
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261593.html2012/1/8 21:54:51
基超高亮度发光二极管的内量子效率比较低，但也在35～50%之间，半导体材料本身的光电转换效率己远高过其它发光光源，因此提高芯片的外量子效率是提高发光效率的关键。这在很大程度上要求设
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261588.html2012/1/8 21:54:41
于这种结构横向照射距离不够,同时光源分布范围较大,导致无法实现反光杯的集中配光、需要利用二次透镜实现独立配光,这就对于二次透镜的选材要求较高,目前不同材料的二次透镜都存在一定的问
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261585.html2012/1/8 21:53:53
究。pdp用荧光粉市场前景广阔 彩色pdp应用广泛，而彩色pdp所用的真空紫外辐射（vuv）激发下的三基色荧光材料，是实现彩色pdp的关键材料。因此对彩色pdp用三基色荧光材料的研
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261581.html2012/1/8 21:53:43
家厂商品质良莠不齐、低价及技术研发都在强力竞争下的led?a业,厂商要如何面对竞争激烈及技术发展,将成?榈鼻八?要因应的问题。本文专访国立中兴大学材料工程学系专任教授武东星博士畅
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261580.html2012/1/8 21:53:41
w，颜色也扩大到红色至绿-黄颜色。到了80年代gaalasled的红光效率提高到10lm/w。 20世纪90年代初，两种新型材料迅速发展起来，发红光、黄光的gaalip和发绿光
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261576.html2012/1/8 21:51:22
在交流电110v下直接使用的acled,搭配特有的立体导热和可插拔式封装技术，于2008年荣获美国r&d100国际大奖肯定。acled除了增添应用上的便利性外，更将为led产
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261575.html2012/1/8 21:51:20
d通常是用碳化硅、蓝宝石或其他材料的衬底制成。这些衬底吸收了led产生的一些光子，会降低效率。 迄今为止，hbled通常采用两种主要技术制成：ingan和allngap(也称
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261571.html2012/1/8 21:51:11
d上游衬底材料、外延片、芯片生产上核心专利和领先技术，成为产业界的龙头，韩国和中国台湾地区通过技术跟踪和规模化发展成为全球重要的led生产基地，而中国大陆、马来西亚等国家和地区在技
http://blog.alighting.cn/hengbin/archive/2012/1/8/261569.html2012/1/8 21:51:09
美国商业资讯2008年3月25日加州弗里蒙特消息—— intematix公司是一家先进材料解决方案的领先革新厂商和专利商用固态照明用荧光粉产品供应商。该公司今天宣布已在中国苏
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